三氨氢硅除硼工艺研究进展.pdfVIP

三氯氢硅除硼工艺研究进展 ／卢海波等 ·29 · 三氨氢硅除硼工艺研究进展 卢海波，朱晓云 (昆明理工大学材料科学与工程学院，昆明 650093) 摘要 重点介绍了目前去除SiHC1s中硼杂质的先进方法，主要有萃取法、络合物法、吸附法、部分水解法和精 馏法，并展望了后续SiHC13的除硼工艺，指出应将不同的提纯工艺优化结合 ，建立严格科学的痕量杂质全过程技术 管理控制体 系，进一步优化杂质监测分析技术，才能高效、经济地去除SiHC1。中的杂质。 关键词 高纯SiHCI3 硼杂质 提纯 氯硅烷 中图分类号：TQ127．2 文献标识码 ：A ResearchDevelopmentin theTechnologyofBoronRemovalfrom Trichl0r0silane LU Haibo。ZHU Xiaoyun (CollegeofMaterialsScienceandEngineering，KunmingUniversityofScienceand Technology，Kunming650093) ． Abstract Theadvancedpurificationmethodofremovingboronimpurityfrom trichlorosilaneincludesextrae— tionmethod，complexmethod，adsorptionmethod，partialhydrolysismethodandrectificationmethod，etc．Itisputfor— wardanoutlookonthesubsequentprocessofboronremovalfrom trichlorosilane．Simultaneously，itispointoutthat combinateandoptimizedifferentpurificationprocesses，establishascientificandstrictmanagementcontrolsystem of thetraceimpurity，optimizetheimpuritymonitoringanalysistechnology，which couldachievethehighefficientand economicalmethodofremovingtheimpuritiesfrom thetrichlorosilane． Keywords high-puretrichlorosilane，boronimpurity，purification，chlorosilane 使用上述某种方法效果并不理想，所以只有通过将上述方法 0 引言 优化结合 ，才能高效去除 siHCl。中的含硼杂质 。本文综述 半导体和光伏行业的迅速发展使得原料多晶硅 的生产 了近年来国内外 SIHCl。的除硼工艺技术 ，以供参考 。 成为热点行业，同时对多晶硅的纯度要求也越来越高_l】]。在 1 高纯 SiHCl3除硼工艺 改 良西门子法生产多晶硅行业 中，多晶硅 的纯度主要取决于 主原料 SmCI。的纯度。电子级多晶硅 的特点是纯度高，其 1．1 萃取法除硼 纯度要求为 |2]：受主杂质(B)的原子分数仅为 5×1O ，施主