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VO2(M/R)复合薄膜的研究进展
· 42 · 材料导报A:综述篇 2012年 2月(上)第26卷第 2期
VO2(M /R)复合薄膜 的研究进展
周石山,杨修春 ,董琰峰 ,王青尧
(同济大学材料科学与工程学院,上海 200092)
摘要 V((M /R)薄膜相变前后的红外透过率、电阻率变化显著,在光学、电学开关等领域极具应用潜力。
v()(M/R)复舍薄膜能克服纯相材料本身的不足,还可以引入新的性能和结构。综述 了VO2(M /R)复合薄膜的特点
和主要性能,总结 了薄膜的复合方式,讨论 了复合薄膜制备中存在的问题,并结合近年的相变机理、制备工艺、复合方
式等报道展望了V((M/R)复合薄膜的研究发展前景。
关键词 二氧化钒 复合薄膜 相变
ProgressinStudyofVO2(M /R)CompositeFilms
ZHOU Shishan,YANGXiuchun,DONGYanfeng,WANGQingyao
(SchoolofMaterialsScienceandEngineering,TonNiUniversity,Shanghai200092)
Abstract VO2(M /R)filmhasasignificantchangeofIRtransmittanceandresistancewithapotentialapplica
tioninopticalandelectricalswitching.V()2(M /R)compositefilmscouldnotonlymakeupthelimitationsofpureM—
phaseV( ,butalsointroducesomenovelperformancesandstructures.Theadvantagesandmainperformancesof
V()2(M /R)compositefilmsarereviewed.Thecompoundtypesaresummarized.Andtheprimaryproblemsofexis
tenceintheresearchofcompositefilmsarepointedout.Attheend,basedontherecentreportson preparationme-
thods,compoundtypesandphas-etransitionmechanism ofv()2thinfilms,furtherresearchesofV( (M /R)compo—
sitefilmsareprospected.
Keywords V()2,compositefilms,phas-etransition
钒 的氧化物稳定相 多达 15~2O种 ,如 V()。、VO (3)热滞 回线太宽等 。最近有研究 【j采用聚合物辅助沉积
V (),其中V【)有 A、B、M、R4种类型,M /R型 VO 是唯 法 ,在前驱体 中加入 PVP,沉积 一系列在可见近红外波段
一 能在室温附近发生完全可逆相变的氧化物,即处在转变温 具有较高透过率、薄膜形态可控的V()复合薄膜 (见图1),
度 (T≈68℃)时,其结构在约 10 S内发生由低温的半导体 其中PVP具有辅助成膜、促进 M相生成等作用 。V()复合
相(M 型)向高温的金属相 (R型)的可逆转变,并伴随电学、 薄膜在一定程度上克服了纯 V()本身的不足,还能通过引入
光学、磁学等性质的变化,可应用于智能窗薄膜、光学和电学 新相优化制备工艺,改善薄膜质量 ,获得优异的光电性能。
开关材料等 ’,具有极大 的发展潜力和社会经济价值。为
2 VO2复合薄膜的主要性能
改善V()。(M/R)(以下简称VO)薄膜的质量和光电性能,引
入新相制备V()。复合薄膜已成为近年研究的热点。本文就
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