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氟氧微晶玻璃_二氧化硅系低温共烧陶瓷材料的煅烧行为_王阳培华
第38 卷第12 期 熊洁羽等:K SO 辅助混合模板剂制备大孔– 中孔SiO 微球 · 2331 · 2 4 2 第38 卷第12 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 38 ,No. 12 2 0 1 0 年 1 2 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY December ,2010 氟氧微晶玻璃/二氧化硅系低温共烧陶瓷材料的煅烧行为 1,2 2 1,4 3 3 4 王阳培华 ,齐西伟 ,李勃 ,戴春雷 ,郭海 ,周济 (1. 清华大学深圳研究生院,广东 深圳 518055 ;2. 东北大学秦皇岛分校,河北 秦皇岛 066004 ;3. 深圳顺络电子股份有限 公司,广东 深圳 518110 ;4. 清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京 100084) 摘 要:制备SiO –B O –Al O –AlF –Li O–Na O–K O–CaO 系氟氧低温微晶玻璃/二氧化硅共烧陶瓷材料,用X 射线衍射、扫描电子显微镜和阻抗分 2 2 3 2 3 3 2 2 2 析仪分析讨论氟氧微晶玻璃/氧化硅主晶相的形成、致密性及介电性能。结果表明:氟氧玻璃/氧化硅陶瓷材料体系样品的最佳煅烧温度范围为 750~ 780 ℃,煅烧时部分玻璃相转变成方石英,有助于进一步降低相对介电常数(ε)和介电损耗(tan δ),在780 ℃煅烧时,样品的体积密度达到最大值(2.31 g/cm–3), r 此时在1 –3 GHz 频率测试,ε = 4.42 ,tan δ= 3 × 10 ,所制备的材料是一种在基板、无源集成和电子封装等方向都具有较大应用前景的低温共烧陶瓷材料。 r 关键词:氟氧微晶玻璃;低温共烧陶瓷;玻璃陶瓷;介电性能 中图分类号:O482.3 文献标志码:A 文章编号:0454–5648(2010)12–2331–04 CALCINING BEHAVIOR OF OXYFLUORIDE GLASS-CERAMICS/SILICON DIOXIDE SYSTEM FOR LTCC WANGYANG Peihua1,2 2 1,4 3 3 4 ,QI Xiwei ,LI Bo ,DAI Chunlei ,GUO Hai ,ZHOU Ji (1. Graduate School at Shenzhen, Tsinghua University, Shenzhen 518055,
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