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新型低栅源漏电容射频LDMOS器件设计 - 电子器件
第38卷 第6期 电 子 器 件 Vol38 No.6 2015年12月 ChineseJournalofElectronDevices Dec. 2015 TheSignofNewRFLDMOSDevicewithLowCgs* MARongjing，LIUSiyang，WEIJiaxing，SUNWeifeng* （NationalASICSystemEngineeringResearchCenter，SoutheastUniversity，Nanjing210096，China） Abstract：Inordertoreducegate-sourceparasiticcapacitanceC ，anewRFLDMOSstructurewithastepgateoxide gs andanadditionalnburiedlayerunderthegateisintroduced.TheTsuprem4 toolsareusedforthesimulationand analysis，studyismainlyfocusedontheinfluencesuponC fromthedopingconcentrationofnburiedlayerandthe gs depthofthesecondstepgateoxide，afterthat，theoptimizationdesignofthedeviceiscarriedout.Resultsshowthat comparingtoconventionalRFLDMOS，thisnewstructurereducesthemaximumC by 15.8%andimprovesthecut- gs offfrequencyby7.6%，whilethethresholdvoltageandbreakdownvoltageremainunchangedatthesametime. Keywords：RFLDMOS；gate-sourceparasiticcapacitance；Tsuprem4；optimization EEACC：2520 doi：10.3969/j.issn.1005-9490.2015.06.003 新型低栅源漏电容射频LDMOS器件设计* 马荣晶，刘斯扬，魏家行，孙伟锋* （东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京210096） 摘 要：为了降低栅源寄生电容C ，提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件；采用Tsuprem4软件对其进 gs 行仿真分析，重点研究了n埋层掺杂剂量和第二阶梯栅氧厚度对栅源寄生电容C 的影响，并结合传统的射频LDMOS基本结构 gs 对其进行优化设计。结果表明：这种新型结构与传统的射频LDMOS器件结构相比，使得器件的栅源寄生电容最大值降低了 15.8%，截止频率提高了7.6%，且器件的阈值电压和击穿电压可以维持不变。 关键词：射频LDMOS；栅源寄生电容C ；Tsuprem4；优化 gs 中图分类号：TN432 文献
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