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BLS6G3135-120,112;BLS6G3135S-120,112;中文规格书,Datasheet资料
BLS6G3135-120;
BLS6G3135S-120
LDMOS S-Band radar power transistor
Rev. 02 — 29 May 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
120 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz
range.
Table 1. Typical performance
Typical RF performance at T = 25 °C; t = 300 µs; δ = 10 %; I = 100 mA; in a class-AB
case p Dq
production test circuit.
Mode of operation f VDS PL Gp ηD tr tf
(GHz) (V) (W) (dB) (%) (ns) (ns)
pulsed RF 3.1 to 3.5 32 120 11 43 20 6
CAUTION
This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken
during transport and handling.
1.2 Features
Typical pulsed RF performance at a frequency of 3.1 GHz to 3.5 GHz, a supply voltage
of 32 V, an I of 100 mA, a t of up to 300 µs with δ of 10 %:
Dq p
Output power = 120 W
Gain = 11 dB
Efficiency = 43 %
Easy power control
Integrated ESD protection
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