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2017-05-30 发布于河南
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APT75GP120B2G;中文规格书,Datasheet资料

APT75GP120B2 1200V ® POWER MOS 7 IGBT T-MaxTM ® The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies. G C • Low Conduction Loss • 100 kHz operation @ 800V, 20A E C • Low Gate Charge • 50 kHz operation @ 800V, 38A G • Ultrafast Tail Current shutoff • RBSOA rated E MAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT75GP120B2 UNIT VCES Collector-Emitter Voltage

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