近藤共振现象及其在低维电子系统中的实现.pdf

评述 近藤共振现象及其在低维电子系统中的实现! . ，/ 0 ，1 张广铭 - - 于- 渌 （.- 清华大学物理系- 北京- .22234 ） （0- 中国科学院物理研究所- 北京- .22232 ） （1- 中国科学院理论物理研究所- 北京- .22232 ） 摘- 要- - 文章全面、系统地介绍了近藤效应、近藤问题、近藤共振现象的起源和研究历史的发展过程，提供了一个 清晰而准确的近藤物理问题的图像 同时，文章还讨论了近年来近藤共振现象在各种低维电子关联系统中的实现 关键词- - 近藤效应，近藤问题，近藤共振，低维电子关联系统 !#$ %’#(#) *+#,#( -# ./0$-,#’-#(. )%%.(1$ .)1%# ’2’1,’ 56789 9’*,:;),:. ，/ - - =- ?’0 ，1 （.- !#$%$ ’() *+,-(., ，/$%.01* 2.%3(+$%,# ，4(%5 %.06 .22234 ，7%.* ） （0- 8.$,%,1,( 9: !#$%$ ，7%.($( ;*(-# 9: =%(.($ ，4(%5 %.0 .22232 ） （1- 8.$,%,1,( 9: /(9+(,%*6 !#$%$ ，7%.($( ;*(-# 9: =%(.$($ ，4(%5 %.0 .22232 ，7%.* ） 34’1%()15 5 @A BCCAD * +BE#DA!A,F)GA H)F+’FF)B, *,H #DA+)FA #)+’DA BC !A IB,HB ACCA+ ，IB,HB #DBJ(AE ，*,H IB,HB DAFB,*,+A @A *(FB H)F+’FF !A)D G*D)B’F E*,)CAF*)B,F ), (B% K H)EA,F)B,*( +BDDA(*AH A(A+DB, FLFAEF !2/%$’5 5 IB,HB ACCA+ ，IB,HB #DBJ(AE ，IB,HB DAFB,*,+A ，(B%;H)EA,F)B,*( +BDDA(*AH FLFAEF 对电阻的贡献随温度降低呈对数规律增长， .- 近藤效应 @ A * B C.,/ （.） 这说明磁性杂质原子对电阻的贡献与非磁性杂质的 固体中的低温电阻极小效应最早是02 世纪12 剩余电阻（与温度无关）完全不同 实验还证实，在 年代在实验中被观察到的 含有微量磁性杂质原子 观察到电阻极小的同时，可测出金属中有局域磁矩 的贵金属样品，随着温度的降低，开始电阻率随之下 的存在，表明电阻反常现象起源于局域磁矩 降，当温度降至4 I 附近时达到极小值，继续降温 02 世纪U2 年代，日本理论物理学家近藤（V’, 时，样品的电阻率不仅不下降，反而增加 这是一件 ［0 ］ IB,HB）提出 ，既然磁性杂质浓度很低时，反常现象 不可思议的反常低温物理现象，当时物理学家就意