第4章 南京理工大学嵌入式嵌入式系统的存储器系统.pptVIP

LOREM IPSUM DOLOR IDE（ Integrated Drive Electronics）接口也称为ATA（美国国家标准协会）接口，是一个通用的硬盘接口。IDE接口的硬盘可细分为ATA-1（IDE）、ATA-2（EIDE）、ATA-3（Fast ATA-2）、ATA-4（包括Ultra ATA、Ultra ATA/33、Ultra ATA/66）与Serial ATA（包括Ultra ATA/100及其他后续的接口类型）。基本的IDE接口数据传输率为4.1 MB/s，传输方式有PIO和DMA两种，支持总线为ISA和EISA。ATA-2、ATAPI和针对PCI总线的FAST-ATA、FAST-ATA2等数据传输率达到了16.67MB/s。Ultra DMA/33接口（称为EIDE接口），采用PIO模式，数据传输率达到33MB/s。UltraDMA/66接口的传输率为Ultra DMA/33的两倍，采用CRC（循环冗余循环校验）技术以保证数据传输的安全性，并且使用了80线的专用连接电缆，是现在市场上主流的硬盘接口类型。Ultra ATA/ 100是最有前景的硬盘接口，它的理论最大外部数据传输率可以高达100MB/s。 LOREM IPSUM DOLOR SCSI（Small Computer System Interface，小型计算机系统接口）不是专为硬盘设计的，是一种总线型接口。SCSI独立于系统总线工作，其系统占用率极低，但其价格昂贵，具有这种接口的硬盘大多用于服务器等高端应用场合。 4.3 NOR Flash接口电路 4.3.1 NOR Flash存储器Am29LV160D Am29LV160D是AMD公司的一款NOR Flash存储器，存储容量为2M×8Bit/1M×16Bit，接口与CMOS I/O兼容，工作电压为2.7～3.6V，读操作电流为9mA，编程和擦除操作电流为20mA，待机电流为200nA。采用FBGA-48、TSOP-48、SO-44 三种封装形式。 Am29LV160D仅需3.3V电压即可完成在系统的编程与擦除操作，通过对其内部的命令寄存器写入标准的命令序列，可对Flash进行编程（烧写）、整片擦除、按扇区擦除，以及其他操作。以16位（字模式）数据宽度的方式工作。更多的内容请登录www.AMD.com，查找资料“Am29LV160D 16 Megabit (2 M×8-Bit/1 M×16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory”。 Am29LV160D的逻辑框图如图4.3.1所示，引脚端功能如表4.3.1所示。 引脚 类型 功能 A19～A0 输入 地址输入。提供存储器地址 DQ14～DQ0 输入/输出 数据输入/输出 DQ15/A-1 输入/输出 在字模式，DQ15为数据输入/输出；在字节模式，A-1为 LSB地址输入 BYTE# 输入 选择8bit 或者16bit 模式 CE# 输入 片选。当CE# 为低电平时，芯片有效 OE# 输入 输出使能。当OE# 为低电平时，输出有效 WE# 输入 写使能，低电平有效，控制写操作 RESET# 输入 硬件复位引脚端，低电平有效 RY/BY# 输出 就绪/忙标志信号输出，SO-44封装无此引脚端 VCC 电源 3 V电源电压输入 VSS 地 器件地 NC 未连接。空脚 图4.3.1 Am29LV160D的逻辑框图 表4.3.1 Am29LV160D引脚端功能 LOREM IPSUM DOLOR 4.3.2 S3C2410A与NOR Flash存储器的接口电路 S3C2410A与Am29LV160D的接口电路如图4.3.2所示。Flash存储器在系统中通常用于存放程序代码，系统上电或复位后从此获取指令并开始执行，因此，应将存有程序代码的Flash存储器配置到Bank0，即将S3C2410A的nGCS0接至Am29LV160D的CE＃（nCE）端。Am29LV160D的OE＃（nOE）端接S3C2410X的nOE；WE＃（nXE）端S3C2410X的nWE相连；地址总线A19～A0与S3C2410X的地址总线ADDR20～ADDR1（A20～A1）相连；16位数据总线DQ15～DQ0与S3C2410X的低16位数据总线DATA15～DATA0（D15～D0）相连。 注意：此时应将BWSCON中的DW0设置为01，即选择16位总线方式。 如果需要更大的NOR Flash存储容量，可以采用容量更大的NOR Flash存储器芯片，如28F128J3A、28F640J3A等。更多的内容请登录，查找资料“3 Volt Intel Strata Flash? Memory 28F128J3A