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* * 第一章 小结 一、二极管 1、 特性 单向导电特性 电容特性 击穿特性 温度特性 2、伏安特性 3、分析方法 （1）图解法 （2）折线近似法 理想二极管模型 恒压降模型 4、关于门限电压Ur UD0,二极管正向导通，但只是大于门限电压，电流才明显增长。 硅管Ur≈0.6V，锗管Ur≈0.2V， 二、晶体三极管 1、工作状态 （1）放大状态 （2）截止状态 （2）饱和状态 2、放大状态时电流分配关系 同一个电流传输过程，不同的描述方式。 三、场效应管 1、工作状态 （1）恒流状态 （2）截止状态 （2）可变电阻状态 2、场效应管类型 （1）N沟道、P沟道 (2) 结型、增强型、耗尽型 3、恒流区的伏安关系 （1）增强型 （2）耗尽型 (3) 结型 或 1-5 判断管脚、管型及材料 解：已知工作在放大状态： 根据发射结正偏，集电结反偏。由发射结确定集电极。 6.3V 1.8V 7V VT3 -8.2V -3.1V -2.9V VT2 2.5V 1.8V 7V VT1 ③ ② ① 电极 晶体管 ∴ （1）VT1 ① 是集电极，电位最高，NPN型。 ② 发射极 ，电位最低， ③ 基极。 发射结电压0.7V，硅材料。 6.3V 1.8V 7V VT3 -8.2V -3.1V -2.9V VT2 2.5V 1.8V 7V VT1 ③ ② ① 电极 晶体管 （2）VT2 ③集电极，电位最低，PNP型 ①发射极， 电位最高，②基极 发射结电压0.2V，锗材料 （3）VT3 ②集电极 电位最低，PNP型 ①发射极，电位最高，③基极 发射机电压0.7V ,硅材料 例1-1填空题 在晶体管内部众多的载流子中，仅有发射区的————————到基区，成为基区的——————，它们在基区由于_________引起它们在基区—————，直到集电结边界，由于集电结——————的作用，而被集电区——————。这一传输过程产生了三极管的正向受控电流。 结型场效应管得D、S极之间存在导电沟道，导电沟道的宽窄受________极电压控制，从而控制了_______极的电流。当D极一端导电沟道消失，称为_____夹断，这时_____极电流只受_________电压控制，场效应管实现正向受控。 例1-2 测得某电路中场效应管三个电极的电位如表所示，开启电压或夹断电压也如表中所示，试判断管子的类型和工作状态。 VT5 VT4 VT3 VT2 VT1 10 0 0 -3 -1.2 3 -2 4 -5 0 5 -4 MOS 10 -1 3 -3 -10 3 1 3 结型 工作状态 管型 UD/V UG/V Us/V UGS(th)/V或UGS(off)/V 管号 解：根据场效应管的转移特性曲线，判断是否截止，根据UDS判断导电沟道， UDS 0,N沟道， UDS 0,P沟道。 * *