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科技资讯 2016 NO.21 SCIENCE TECHNOLOGY INFORMATION 学 术 论 坛 DOI:10.16661/j.cnki.1672-3791.2016.21.152 用于太阳电池的AlSb 多晶薄膜① 杨凯 (国家知识产权局专利局专利审查协作四川中心 四川成都 610213) 摘 要:该文采用多靶共溅射方法先预沉积了Al-Sb复合薄膜,然后在N2气氛下进行退火得到AlSb多晶薄膜。用XRD分析了AlSb 多晶薄膜的结构,用XRF测定了Al和Sb的原子比。最后用AMPS-1D模拟了采用该AlSb多晶薄膜的太阳电池的光伏特性。结果表 明,共溅射的方法可以获得结晶性能良好的AlSb多晶薄膜,并且使用该薄膜的太阳电池可以具有较高的转换效率。 关键词 :AlSb多晶薄膜 共溅射 太阳电池 中图分类号:TM914.42;O484.1 文献标识码:A 文章编号:1672-3791(2016)07(c)-0152-02 随着对太阳电池材料研究的不断深入,寻找一种无污染、低能 在N2气氛下、300℃～540℃之间的退火温度下进行退火,退火时 耗、高效率的太阳电池材料及其制造方法已经发展成一个重要的 间分别为30 min、120 min。 研究方向。具有闪锌矿结构的III－V族化合物半导体AlSb,具有 1.2 测试 1.6eV的禁带宽度,很好地匹配了地面的太阳光谱,使用其作为 薄膜晶体结构采用X射线衍射仪测量,薄膜组分用荧光光谱 吸收材料的太阳电池的理论效率可达到27%[1]。因此,AlSb是一种 分析仪测量,膜厚用探针式台阶仪测量。 很有潜力的新型光电转换材料。 该文采用共溅射方法在浮法玻璃衬底上先预制AlSb复合薄 2 结果与讨论 膜,然后对预制复合薄膜进行退火,分析了衬底温度、退火温度与 2.1 共溅射速率的确定 AlSb多晶薄膜的结构、组分和形貌的关系。最后模拟了采用AlSb 用台阶仪对不同溅射功率制备的Al、Sb薄膜的厚度进行测 -1 -1 多晶薄膜的太阳电池的器件性能。 量,并换算得到Al靶的溅射速率V =0.30nm·min W· ,Sb靶 Al -1 -1 的溅射速率V =0.21nm·min ·W ,因此,预制复合膜中Al和 Sb 1 实验 Sb的原子比为: 1.1 Al-Sb复合薄膜的制备