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模拟电子技术复习题 一、选择正确答案填入空内 型半导体中的多数载流子是___________。 A 空穴B正离子C自由电子D 负离子 2当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A.反偏、反偏 B.正偏、反偏 C.正偏、正偏 D. 反偏、正偏 3当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 4工作在放大区的某三极管，如果当从12μA增大到22μA时，从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 11 B. 83 C. 91 D. 100 5功放的互补输出级采用射极输出形式是为了使 。 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 D.电流放大倍数大 6集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 A．可获得很大的放大倍数 B.可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容 D.可获得较宽的通频带 7为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。 A．共射放大电路 B.共集放大电路 C．共基放大电路 D.差分放大电路 8对于放大电路，所谓开环是指 。 A．无信号源 B．无反馈通路 C．无电源 D．无负载 9。A直流信号 B.交流和直流信号 C.干扰信号 D.交流信号 10．三种基本放大电路中电压放大系数近似为1的是_______。 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 11．乙类互补对称功率放大电路会产生一种被称为________的特有的非线性失真现象。 A.饱和失真 B.交越失真 C.截止失真 D.双向失真 12当晶体管工作在饱和区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A.反偏、反偏 B.正偏、反偏 C.正偏、正偏 D. 反偏、正偏 13当反偏电压增加时，二极管的反向饱和电流将 。 A.线性增大 B.不变 C.减小 D.按指数规律增大 14当稳压管输出电压为其稳定电压UZ时，工作在 。 A. 反向击穿区 B.反向截止区 C. 死区 D.正向导通区 15三种基本放大电路中用于输出级的是 。 A.共射电路 B.共基电路 C.共集电路 16集成运放电路采用的级间耦合方式是 。 A．阻容耦合 B.直接耦合 C．变压器耦合 D.光电耦合 17A.饱和 B.截止 C.放大区 D.双向失真18．影响放大电路静态工作点，使工作点不稳定的主要原因是_____ 。A.直流电源 B.接入负载 C.电阻值不稳定 D.温度变化 19．二极管中的PN极具有___________特性。A反向导电性 B.双向导电性 C.正向导电性 D.单向导电性 20．P型半导体中的多数载流子是___________。 A 空穴B 自由电子C 正离子D 负离子 21稳压二极管的正常工作状态是__________。 A 导通状态B 截止状态C 反向击穿状态D 任意状态 22测得三极管上各极的静态电位分别为UE＝2.1V，UB＝2.8V，UC＝7V，说明此三极管处在_________。 A 放大区B 饱和区C 截止区D 反向击穿区 。 A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小 C．集成工艺难于制造大容量电容 24．集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。 A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C．参数一致性好 25．集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。 A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 二、用“√”、“×”表示判断结果的对、错填入空内 1.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。( ) 2.。（ ） 3.。（ ） 4.由理想集成运算放大器实现的运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（ ） 5.在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（ ） 6.功率放大电路的最大输出功率是指在不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（ ） 7.型器件。（ ） 8.整流输出电压加电容滤波后，电压波动性减小，故输出电压也下降。（ ） 9. （ ） 10.。（ ） 11.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。 （ ） 12. （ ） 13.OCL功率放大电路采用甲乙类工作是为了克服交越失真。 （ ） 14.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－50，将它们连成两级放