创新设计浙江鸭2018版高考物理总复习第10章交变电流试题.docVIP

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创新设计浙江鸭2018版高考物理总复习第10章交变电流试题

第10章 交变电流 1.在图所示电路中,A是熔断电流I0=2 A 的保险丝,R是可变电阻,S是交流电源。交流电源的内电阻不计,其电动势随时间变化的规律是e=220sin(314t) V。为了不使保险丝熔断,可变电阻的阻值应该大于(  ) A.110 Ω B.110 Ω C.220 Ω D.220 Ω 解析 U=220 V,Rmin== Ω=110 Ω。 答案 B 2.线框在匀强磁场中绕OO′轴匀速转动(由上向下看是逆时针方向),当转到如图所示位置时,磁通量和感应电动势大小的变化情况是(  ) A.磁通量和感应电动势都在变大 B.磁通量和感应电动势都在变小 C.磁通量在变小,感应电动势在变大 D.磁通量在变大, 解析 由题图可知,Φ=Φmcos θ,e=Emsin θ,所以磁通量变大,感应电动势变小。 答案 D 3.(多选)某小型发电机产生的交变电动势为e=50sin 100πt(V)。对此电动势,下列表述正确的是(  ) A.最大值是50 V B.频率是100 Hz C.有效值是25 V D.周期是0.02 s 解析 从中性面开始计时,交变电动势的表达式为e=Emsin ωt,因e=50sin 100πt(V),所以最大值Em=50 V,A错误;由ω=2πf=100π rad/s得f=50 Hz,B错误;有效值E==25 V,C正确;T==0.02 s,D正确。 答案 CD 4.一矩形线框在匀强磁场内绕垂直于磁场的轴匀速转动的过程中,线框输出的交流电压随时间变化的图象如图所示,下列说法中正确的是(  ) A.t=0时刻线框平面与磁场平行 B.交流电压的频率为4 Hz C.1 s末线框平面垂直于磁场,通过线框的磁通量变化最快 D.2 s末线框平面垂直于磁场,通过线框的磁通量最大 解析 由u-t图象可知,t=0时刻瞬时电压为零,线框处于中性面,频率f==0.25 Hz,故选项A、B错误;由图象可知,1 s末交变电压最大,通过线框的磁通量变化率最大,此时线框与磁场方向平行,而2 s末交变电压为零,此时线框经过中性面与磁场垂直,穿过线框的磁通量最大,故选项C错误,D正确。 答案 D 5.如图所示,匀强磁场的磁感应强度B=0.5 T,边长L=10 cm的正方形线圈abcd共100匝,线圈电阻r=1 Ω,线圈绕垂直于磁感线的对称轴OO′匀速转动,角速度ω=2 π rad/s,外电路电阻R=4 Ω。求: (1)转动过程中感应电动势的最大值; (2)由图示位置(线圈平面与磁感线平行)转过60°角时的瞬时感应电动势; (3)由图示位置转过60°角的过程中产生的平均感应电动势; (4)交流电压表的示数。 解析 (1)EmnBSω=3.14 V。 (2)由图示位置计时转过60°角时,瞬时感应电动势 E=Em·cos 60°=1.57 V。 (3)由图示位置转过60°角的过程中产生的平均感应电动势 =n=100×=2.60 V。 (4)交流电压表测的是有效值,所以其示数 U==1.78 V。 答案 (1)3.14 V (2)1.57 V (3)2.60 V (4)1.78 V .(多选)如图所示,输入端ab的输入电压既有直流成分,又有交流成分,以下说法中正确的是(L的直流电阻与R相同)(  ) A.直流成分只能从L通过 B.交流成分只能从R通过 C.通过R的既有直流成分又有交流成分 D.通过L的交流成分比通过R的交流成分必定要少 解析 线圈具有通直流阻交流的作用,所以大部分交流成分通过R,L的直流电阻与R相同,对交流的阻碍作用要大于电阻R,多数交流成分通过R,故选C、D。 答案 CD .(多选)如图所示,接在交流电源上的电灯泡正常发光,以下说法正确的是(  ) A把电介质插入电容器,灯泡变亮 B.增大电容器两板间的距离,灯泡变亮 C.减小电容器两板间的正对面积,灯泡变暗 D.使交变电流频率减小,灯泡变暗 解析 把介质插入电容器,电容变大,容抗减小,灯泡变亮,A正确;电容器两板间距离增大,电容减小,容抗增大,灯泡变暗,B错;减小电容器两极正对面积,电容减小,容抗增大,灯泡变暗,C正确;交流电的频率减小,容抗增大,灯泡变暗,D正确。 答案 ACD .(多选)在如图所示的电路中,a、b两端连接的交流电源既含高频交流,又含低频交流;L是一个25 mH的高频扼流圈,C是一个100 pF的电容器,R是负载电阻。下列说法正确的是(  ) A.L的作用是“通低频,阻高频” B.C的作用是“通交流,隔直流” C.C的作用是“通高频,阻低频” D.通过R的电流中,低频交流所占的百分比远远小于高频交流所占的百分比 解析 L是自感系数很小的高频扼流圈,其作用是“通低频、阻高频”,A正确;C是电容很小的电容器,其作用是“通高频,阻低频”,也称高频旁路电容,由于L对高

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