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与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计
第 卷第 期 半 导 体 学 报 23 2 VOl. 23 NO. 2 年 月 2002 2 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Feb . 2002 ================================================================= 与CMOS 工艺兼容的硅高速光电 探测器模拟与设计 1 1 1 1 1 2 2 2 2 毛陆虹 陈弘达 吴荣汉 唐 君 梁 琨 粘 华 郭维廉 李树荣 吴霞宛 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室 北京 (1 100083D 天津大学电子与信息工程学院 天津 (2 300072D 摘要 用器件模拟的方法 设计了一种与常规 工艺兼容的硅高速光电探测器 该探测器可与 接收机 , CMOS CMOS 电路单片集成 对该探测器进行了器件模拟研究 给出了该探测器的电路模型 通过 ( . MOSIS MOS implementatiOn D 0. 35 工艺制做了该探测器 实际测试了该器件的频率响应和波长响应 探测器频率响 SuppOrt prOject pm COMS 应在 以上 峰值波长响应在 1GHZ 0. 69pm. 关键词 光电探测器 器件模拟 工艺 , ; ; CMOS EEACC , 4250 ; 2560B 中图分类号 + 文献标识码 文章编号 , TN 303 ; TN 364 . 2 , A , 0253-4177(2002D 02-0193-05 度 当光在半导体中吸收 电子空穴对产生在 结 . pn 引言 的 附近 空间电荷区有强电场 可收集产生在空 1 1/O
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