第1章 常用半导体器件精要.ppt

VBB = iB Rb + uBE iB iC iB = 46.5 μA β iB = 2.3 mA 假设三极管饱和，UCES = 0.3 V 则 ICS = VCC - UCES Rc = 4.85 mA β iB ICS 假设不成立， 三极管工作在放大区。 或者 iC = β iB = 2.3 mA uCE = VCC - iC Rc = 5.4 V 发射结正偏集电结反偏， 三极管工作在放大区。 Rb Rc VCC VBB VT 2k 200k 10V 10V β=50 VBB = iB Rb + uBE iB iC iB = 465 μA β iB = 23 mA 假设三极管饱和， UCES = 0.3 V 则 ICS = VCC - UCES Rc = 4.85 mA β iB ICS 假设成立， 三极管工作在饱和区。 或者 iC = β iB = 23 mA uCE = VCC - iC Rc = -36 V 发射结正偏集电结正偏， 三极管工作在饱和区。 Rb Rc VCC VBB VT 2kΩ 20kΩ 10V 10V β=50 1、稳压二极管的正常工作状态是 。 A、导通状态 B、截止状态 C、反向击穿状态 D、任意状态 2、发光二极管的正常工作状态是 。 A、正向导通电压0.7V B、正向导通电压1.5V以上 C、反向击穿状态 D、以上均不正确 3、如果工作在放大电路中的三极管电流如图所示，则此三极管三个脚分别为 。 A、BCE B、EBC C、CEB D、以上均不正确。 [练一练] 4、测得三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 [练一练] 1.3.4　三极管的主要参数 三极管的连接方式 T (a)共发射极接法 输入 输出 B C E (b)共基极接法 输入 输出 B C E (c)共集电极接法 T 输入 输出 B C E 1. 共射电流放大系数 ? 2. 共射直流电流放大系数 忽略穿透电流 ICEO 时， 3. 共基电流放大系数 ? 4. 共基直流电流放大系数 忽略反向饱和电流 ICBO 时， ? 和 ? 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为： 一、电流放大系数 是表征管子放大作用的参数。有以下几个： 二、反向饱和电流 1. 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 2.集电极和发射极之间的反向饱和电流 ICEO (a)ICBO测量电路 (b)ICEO测量电路 ICBO c e b ?A ICEO ?A c e b 小功率锗管 ICBO 约为几微安；硅管的 ICBO 小，有的为纳安数量级。 　　当 b 开路时， c 和 e 之间的电流。 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。 三、 极限参数 1. 集电极最大允许电流 ICM 当 IC 过大时，三极管的 ? 值要减小。在 IC = ICM 时， ? 值下降到额定值的三分之二。 2. 集电极最大允许耗散功率 PCM 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 将 IC 与 UCE 乘积等于规定的 PCM 值各点连接起来，可得一条双曲线。 ICUCE PCM 为安全工作区 ICUCE PCM 为过损耗区 IC UCE O PCM = ICUCE 安 全 工 作 区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 过 损 耗 区 三极管的安全工作区 3. 极间反向击穿电压 外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。 　　U(BR)CEO：基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。 　　U(BR)CBO：发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。 　　安全工作区同时要受 PCM、ICM 和U(BR)CEO限制。 过电压 IC U(BR)CEO UCE O 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 ICM 过流区 三极管的安全工作区 　PNP 型三极管 　　放大原理与 NPN 型基本相同，但为了保证发射结正偏，集电结反偏，外加电源的极性与 NPN 正好相反。 图 1.3.13　三极管外加电源的极性 (a)