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頁次英文名稱中文名稱1Active Area主動區（工作區）2ACETONE丙酮3ADI顯影後檢查4AEI蝕刻後檢查5AIR SHOWER空氣洗塵室6ALIGNMENT對準7ALLOY/SINTER熔合8AL/SI鋁/矽 靶9AL/SI/CU鋁/矽/銅10ALUMINUN鋁11ANGLE LAPPING角度研磨12ANGSTROM埃13APCVD（ATMOSPRESSURE）常壓化學氣相沈積14AS75砷15ASHING，STRIPPING電漿光阻去除16ASSEMBLY晶粒封裝17BACK GRINDING晶背研磨18BAKE, SOFT BAKE, HARD BAKE烘烤，軟烤，預烤19BF2二氟化硼20BOAT晶舟21B.O.E緩衝蝕刻液22BONDING PAD銲墊23BORON硼24BPSG含硼及磷的矽化物25BREAKDOWN VOLTAGE崩潰電壓26BURN IN預燒試驗27CAD電腦輔助設計28CD MEASUREMENT微距測試29CH3COOH醋酸30CHAMBER真空室,反應室31CHANNEL通道32CHIP ,DIE晶粒33CLT（CARRIER LIFE TIME）截子生命週期34CMOS互補式金氧半導體35COATING光阻覆蓋36CROSS SECTION橫截面37C-V PLOT電容,電壓圓38CWQC全公司品質管制39CYCLE TIME生產週期時間40CYCLE TIME生產週期時間41DEFECT DENSITY缺點密度42DEHYDRATION BAKE去水烘烤43DENSIFY密化44DESCUM電漿預處理45DESIGN RULE設計規範46EDSIGN RULE設計準則47DIE BY DIE ALIGNMENT每FIELD均對準48DIFFUSION擴散49DI WATER去離子水50DOPING參入雜質51DRAM , SRAM動態,靜態隨機存取記憶體52DRIVE IN驅入53E-BEAM LITHOGRAPHY電子束微影技術54EFR（EARLY FAILURE RATE）早期故障率55ELECTROMIGRATION電子遷移56ELECTRON/HOLE電子/ 電洞57ELLIPSOMETER橢圓測厚儀58EM（ELECTRO MIGRATION TEST）電子遷移可靠度測試59END POINT DETECTOR終點偵測器60ENERGY能量61EPI WAFER磊晶晶片62EPROM (ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM）電子可程式唯讀記憶體63ESD ELECTROSTATIC DAMAGE ELECTROSTATIC DISCHARGE靜電破壞靜電放電64ETCH蝕刻65EXPOSURE曝光66FABRICATION（FAB）製造67FBFC（FULL BIT FUNCTION CHIP）全功能晶片68FIELD/MOAT場區69FILTRATION過濾70FIT（FAILURE IN TIME）71FOUNDRY客戶委託加工72FOUR POINT PROBE四點偵測73F/S（FINESONIC CLEAN）超音波清洗74FTIR傅氏轉換紅外線光譜分析儀75FTY（FINAL TEST YIELD）76FUKE DEFECT77GATE OXIDE閘極氧化層78GATE VALVE閘閥79GEC（GOOD ELECTRICAL CHIP）優良電器特性晶片80GETTERING吸附81G-LINEG-光線82GLOBAL ALIGNMENT整片性對準與計算83GOI（GATE OXIDE INTEGRITY）閘極氧化層完整性84GRAIN SIZE顆粒大小85GRR STUDY (GAUGE REPEATABILITY AND REPRODUUCIBILITY）測量儀器重複性與再現性之研究86H2SO4硫酸87H3PO4磷酸88HCL氯化氫（鹽酸