光电子器件及其他电子器件制造行业运行形势分析.docVIP

第三章　2009-2010年我国光电子器件及其他电子器件制造行业运行形势分析 第一节　2009-2010年中国光电子器件及其他电子器件制造行业发展现状 一、光电子器件及其他电子器件制造行业发展回顾 自上世纪50年代未第一只晶闸管问世以来，电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台，以此为基础开发的可控硅整流装置，是电气传动领域的一次革命，使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代，这标志着电力电子的诞生。进入70年代晶闸管开始形成由低电压小电流到高电压大电流的系列产品，普通晶闸管不能自关断的半控型器件，被称为第一代电力电子器件。随着电力电子技术理论研究和制造工艺水平的不断提高，电力电子器件在容易和类型等方面得到了很大发展，是电力电子技术的又一次飞跃，先后研制出GTR，功率MOSFET等自关断全控型第二代电力电子器件。而以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的第三代电力电子器件，开始向大容易高频率、响应快、低损耗方向发展。而进入90年代电力电子器件正朝着复台化、标准模块化、智能化、功率集成的方向发展，以此为基础形成一条以电力电子技术理论研究，器件开发研制，应用渗透性，在国际上电力电子技术是竞争最激烈的高新技术领域。 整流管是电力电子器件中结构最简单，应用最广泛的一种器件。目前已形成普通型，快恢复型和肖特基型三大系列产品，电力整流管对改善各种电力电子电路的性能，降低电路损耗和提高电流使用效率等方面都具有非常重要的作用。自1958年美国通用电气GE公司研制出第一个工业用普通晶闸管开始，其结构的改进和工艺的改革为新器件开发研制奠定了基础，在以后的十年间开发研制出双向，逆变、逆导、非对称晶闸管，至今晶闸管系列产品仍有较为广泛的市场。上世纪7O年代研制出GTR系列产品，其额定值已达1.8kv/0.8kA／2kHZ，0.6kV／0.003kA／100kHZ，它具有组成的电路灵活成熟，开关损耗小、开关时间短等特点，在中等容量、中等频率的电路中应用广泛，而作为高性能，大容量的第三代绝缘栅型双极性晶体管IGBT，因其具有电压型控制，输入阻抗大、驱动功率小，开关损耗低及工作频率高等特点，其有着广阔的发展前景。而IGCT是最近发展起来的新型器件，它是在GTO基础上发展起来的器件，称为集成门极换流晶闸管，也有人称之为发射极关断晶闸管，它的瞬时开关频率可达20kHZ，关断时间为1s，dildt4kA／ms，du／dtl0—20kV／ms，开关时间2ks，导通压降3600A时，2.8V，开关频率1000Hz。 二、光电子器件及其他电子器件制造行业发展特点分析 我国电子元件的发展必须以市场为导向，密切跟踪数字化、网络化技术的发展趋势，不断开发新产品，提高技术档次，加快新型电子元件的开发，使我国电子元件由生产大国向生产强国转变。突破关键元器件技术，电子元件企业要加快技术创新体系建设，提升行业整体竞争力。片式化是电子元件的重要发展方向，不仅市场需求量大，而且充分体现了规模经济的特点，如果结合上下游产品，如材料、零部件、设备、仪器等，形成产业链，则产业规模更大，拉动效益更明显。要把握国际电子信息产业调整和转移的机遇，推动更高层次的国际合作，以资本为纽带，调整产业结构和产品结构，提升管理水平，培育我国电子元件的跨国公司，打造国际级的龙头企业和拳头产品，努力提高国内外市场的占有率，继续保持我国电子元件较快的增长速度。 我国生产的电容器、电阻器、磁性材料、电子变压器、压电石英晶体器件、电声器件、微特电机、印制电路板的产量已居世界首位，而且一半以上的产品出口国际市场，印制电路板、电声器件、微特电机、电接插元件、电容器和电子变压器等是我国电子元件出口创汇的支柱产品。我国电子元件行业近年来发展稳定，我国电子元件产品产量约占全球总产量的30%左右，位居世界前列。但从销售额来看，我国电子元件占全球总销售额还不高。但是，近年来，我国电子元件进出口贸易逆差越来越大，一方面是受到加工贸易快速增长的影响，另一方面是国产元件不适应高档产品市场日益增长的矛盾越来越突出。新功能、新结构和高性能的电子元件仍需进口，整机国产化率仍然较低。我国继电器行业主要生产企业生产量可谓产销两旺，形势喜人。但与全球继电器生产大国相比，仍是差距显著，一些结构性的、电机控制器根本性的问题并没有因自身的高速发展而有显著改变。创新思路求发展，是继电器行业寻求发展的必由之路。　　 近年来，继电器行业投资类产品发展迅猛，技术创新热点比较突出，投资类继电器在通信、设备装置、汽车等领域应用逐渐增加，高频继电器、光电子继电器、微电子继电器等，由于高新技术产业的发展呈现出日渐旺盛的市场需求。固态继电器近年来在我国继电器行业的发展迅猛，技术、质量等方面的提升令人瞩目，在世界继电器市场上，其增长态势