M5358是一款高度集成的电流模式PWM控制芯.PDFVIP

概述 M5358是一款高度集成的电流模式PWM控制芯 片，内置高压MOS,适合应用于高性能、低待机 功耗，低成本,离线AC-DC反激式拓扑结构，推 荐应用于功率15瓦以内的各种变换器。 M5358提供完善的各种保护以及自恢复功能， 包括逐周期电流限制(OCP),过载保护 (OLP),VDD电压钳位和低电压锁定(UVLO)。电 路具有抖频功能以及软开关技术，保证了优秀 的EMI性能，消除了低于20KHz的音频噪声。 M5358采用DIP-8封装。 特点  开关软启动可降低MOSFET的VDS压力  改善EMI的频率抖动技术  极低启动电流和工作电流  改善效率和待机功率最小化的扩展burst模式  消除音频噪声  50KHZ开关频率  完善的各种保护以及自恢复功能  逐周期电流限流  芯片供电欠压保护  自动重启功能  采用DIP-8封装 应用  离线式AV-DC反激变换器  手机充电器,上网本充电器  笔记本适配器,机顶盒电源  各种开放式开关电源 典型应用电路图： 输出功率表 产 品 230VAC±15% 85-265VAC 开放式 开放式 M5358PR 15W 12W 说明:连续工作的最大功率是在开放的50度环境中，且转换器有有足够的散热条件下测得。 1/16 管脚封装图 定购信息： 定购型号 封装 温度范围 包装形式 M5358PR DIP8 -40℃到 105 ℃ 管装 50颗/管 2000/盒 最大极限参数： 参数 数值 内部高压功率管漏极(启动) -0.3V~BVdss 芯片电源电压 -0.3V~30V 内部栅极驱动电压 -0.3V~30V VDD钳位电流 10mA INV输入电压 -0.3~7V SEN输入电压 -0.3~7V 最低/最高工作结温 -20~150℃ 最低/最高储存温度 -55to150℃ 过锡炉温度(10S) 260℃ 注：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功 能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定 性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证 其精度，但其典型值合理反映了器件性能。 管脚描述： 管脚名称 I/O 描述 GND P 芯片地 INV I 反馈信号输入端，PWM占空比由该脚的电压 以及SEN脚的电流决定 VDD-G P 内部栅极驱动电压 SEN I 电流采样信号输入端 VDD P 芯片电源 Drain O 内部高压功率管漏极， 该脚连接到变压器 的初级绕组输出端 1/16 电气参数 （无特别说明情况下，VCC=16V, TA=25℃） 符号 参数描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 工作电压 I_start up VDD启动电流 VDD=14.5V 5 20 uA I_VDD_Operation VDD工作电流 V_INV=3V 1.6 mA VDD_UVLO(ON) VDD欠压保护(开启) 8.7 9.7 10.7 V VDD_UVLO(OFF) VDD欠压保护(关闭) 14.6 15.8 17.0 V OVP(ON) VDD过压保护(开启) CS=0V,INV=3V,增 大VDD直到GATE时 钟关闭 27 28.5 30 V VDD_Clamp VDD钳位电压 IDD=10mA 30 V INV 反馈 VINV_OPEN INV开环电压 5.4 5.7 6 V IINV_Short INV短路电流 INV接到地 1.45 mA VTH_OD 过零点门槛电压 0.8 V VTH_PL 功率限制门槛电压 3.7 V TD_PL 功率限制延迟时间 50 m Sec ZINV_IN 输入阻抗 4 K ohm 电流采样 Soft_start_time 软启动时间 4 m S T_blanking 电流采样前沿消隐时间 270 n s Z SEN_IN 输入阻抗 40 K ohm TD_OC 过电流检测迟滞时间 从过流开始到驱动 信号关闭 120 n s VTH_OC 内部电流限制门槛电压 0.72 0.77 0.82 V 时钟 COMP下钳位电压 1.5 V F_osc 正常振荡频率 45 50 55 KHZ Δf_Temp 频率温飘 5 % 1/16 符号 参数描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 Δf_VDD 频率电压调整率 5 % D_MAX 最大占空比 V_INV=3.3V CS=0V 70 80 90 % F_Burst Burst模式基准频率 22 KHZ 功率 MOS