关于发光材料2认003.pptVIP

发光材料的发光原理;发光的类型;关于发光材料; 长余辉蓄能发光材料是光致发光(Photoluminescence)材料的一种，可以通过环境光，如日光、灯光等任何一种光能激发。光照撤除后，受环境温度的扰动，束缚于陷阱的电子跳出陷阱落到基态，释放的能量激发发光中心形成发光。;反光材料;荧光材料;无机发光材料;有机发光材料;自发光体和磷光物体;光致发光材料的应用;稀土发光材料;白光LED;发光材料实例;彩色电视机荧光粉 Y2O2S:Eu3+ （红） ZnS:Cu,Al （绿） ZnS:Ag （蓝） 激光晶体：红宝石Al2O3:Cr3+（红，693nm） Y3Al5O12:Nd3+ （红外，1060nm）;闪烁晶体：高能加速器中：PbWO4 医用CT等：LuAlO3:Ce3+ LED ----GaAs ----GaN ----GaN+YAG:Ce3+;发光材料的主要特征;衰减时间、余辉 偏振 相干性; 众所周知，材料的发光性质与很多因素有关，如物相组成，整体结构/局部结构以及制备方法等。 由于我看的文献较少，不能很全面的理解各种因素对发光强度的影响，只是以我的外文翻译中遇到的一些因素作一个简单的讨论。; 样品尺寸大的发光效果会比较好，所以在有些实验中引入比基质中原子粒径大的原子可以增大样品的发光性质。比如，斜方晶结构的红色发光材料CaAlzSi2+z:Eu2+ Eu2+部分替换Ca2+，由于Eu2+（0.117 nm，CN=634）比Ca2+（0.100 nm，CN=634）离子半径大，这导致晶格参数呈现出小幅增大。 多面体体积会由于大的Eu2+替换小的Ca2+而增大。 ;图为团簇模型[Ca(1)N5]-13和[Eu(1)N5]-13， (b) [Ca(2)N6]-16和[Eu(2)N6]-16的MO能级和总能态密度、分能态密度 对于金属，绝对零度下，电子占据的最高能级就是费米能级。 左边为价带，右边为导带，分别有价带顶和导带底，之间为带隙。 导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。 导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。;价带（valence band）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。但若该电子受到光照，它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区，从而使价带变成部分充填，此时价带中留下的电子可在固体中自由运动。价带中电子的自由运动对于与晶体管有关的现象是很重要的。 ;电子由价带跃迁到导带，通过吸收能量，再返回到基态以光的形式释放能量。 带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，因此电子可以更容易地从占据的MOs轨道迁移到未被占据的MOs轨道，但是发光效果却不会明显，所以Eu2+的光电离过程以及吸收的能量主要迁移到基质，而不是Eu2+的激活离子上。因此，EuCa（2）对于猝灭Eu2+的发光发挥了关键作用。 ;猝灭：由于某些原因使材料发光材料发生非辐射跃迁，从而降低了发光效率。有热猝灭、浓度猝灭等。 浓度猝灭是当激活离子浓度较大时，中心间的距离小于临界距离，他们就会产生级联能量传递，即从一个中心传递到下一个中心，再到下一个中心……能量发生迁移，知道最后进入一个猝灭中心，导致发光猝灭。所以在我们做的实验中会有一个浓度梯度，并预计会有一个发光强度先增加后降低的趋势。;在较小的掺杂格位上，更容易发生发光猝灭，因为较小的空间里，浓度更易达到临界值。所以实验中有人会通过掺杂一些物质来增大原子间的距离。如，我的外文里，把AlN掺杂到CaSiN2晶格中，Al部分替代Si生成（Si,Al）---N键，以增大结构中的原子间距离，从而扩大CaAlzSiN2+:Eu2+中EuCa-EuCa的距离;漫反射谱图;图为Ca1-xEuxSiN2(x=0，0.001和0.005)和Ca2Si5N8的漫反射谱图 在这里介绍一个论文中可能会遇到的名次—基本吸收边，即反射曲线的切线延长线与横轴形成的交点，它的能量为1024/波长，从漫反射图中可以观察到通过增加Eu2+的浓度，Eu2+的吸收强度会进一步加强 ;我的工作：Sr8MgLa(PO4)4:Eu3+;确定材料由哪些物质组成即物相定性分析 制备各种标准单相物质的衍射花样并使之规范化（PDF卡片），将待分析样品的衍射花样与之对照，从而确定物质的组成相 确定各组成的含量即物相定量分析，常以体积分数或者质量分数表示;比较4条谱线可知，谱线(1)，(2)在14．50，19．6。，28．9。，38．86。，52．3。等处分别出现一些衍射峰，其位