第5章存储器06年.pptVIP

第五章 存储器;§1 概述;寄存器组;1. 内存储器特点： ①存放正在运行的程序和数据 ②最大容量取决于CPU地址总线的根数 ③不需要接口直接与CPU总线相连 2. RAM与ROM RAM—读/写存储器，掉电内容丢失，用于存放正在运行的数据 ROM—只读，掉电内容不丢失，用于存放固定程序 ;二 、存储器的性能指标;4. 可靠性 5. 性能/价格比;§2 半导体存储器;1. 存储体（m×n结构存储矩阵。其中每个小方块代表一个基本存储电路；;2.地址寄存器 用来存放CPU访问存储单元的地址 3.译码驱动电路 将地址总线输入的地址码转换成与它对应的译码输出线上的高电平或低电平，以表示选中了某一单元，并由驱动器提供驱动电流去驱动相应的读、写电路 ;4.读/写电路 完成对被选中单元中的各位的读/写操作 5.数据寄存器 暂时存放被读/写的数据，以协调CPU与存储器或I/O接口的速度差异 6.控制逻辑 接收来自CPU的启动、片选、读/写及清除控制信号，经综合处理后，发出一组时序信号来控制读/写操作 ;二、随机存储器;特点： 1）存取速度快，常用于作为高速缓冲存储器（Cache） 2）可读写，失电后信息丢失 3）集成度小（单片存储容量小），功耗大 典型芯片： 6116（2K×8位） 6264（8K×8位） 62128（16K×8位） 62256（32K×8位） ;32*32的;字（行）选择线;SRAM6264芯片的引脚;刷新放大器;特点： 1）由于采用对电容的充放电，存放信息，较SRAM存取速度慢 2）可读写，失电后信息丢失 3）功耗小，集成度高，单片存储容量大（单片容量可达上M ） 4）需要配备刷新电路（2ms） 典型芯片： 2164（64K×1位） 51C256（256K×1位） HM5116100（16M×1位） HM5116400 （4M ×4位） ;;三、只读存储器;D;特点： 1）只读， 失电后信息不丢失 2）紫外线光照后，可擦除信息， 3）信息擦除可重新灌入新的信息（程序） 典型芯片（27XX） 2716（2K×8位），2764（8K ×8位）…… ;;信号源 ;3. 电可擦除可编程只读存储器——EEPROM 存储原理： 信息的储存是通过电荷分布来决定的，编程的过程就是一个电荷的注入过程。编程结束后，尽管撤消了电源，但由于绝缘层的包围，注入的电荷无法泄露，因此电荷分布能维持不变。 特点： 1）只读， 失电后信息不丢失 2）加特定电后，可有选择地擦除信息 3）信息擦除可重新灌入新的信息（程序） 典型芯片（28XX） 2816（2K×8位），2864（8K ×8位）……;引脚信号 ;§3主存储器设计;（三）内存容量的配置、地址分配 1. 内存容量配置 CPU寻址能力（地址总线的条数） 软件的大小（对于通用计算机，这项不作为主要因素） 2. 区域的分配 RAM ROM 3. 数据组织 （按字节组织） 16位数据，低位字节在前，高位字节在后，存储器奇偶分体 （四）存储器芯片选择 根据微机系统对主存储器的容量和速度以及所存放程序的不同等方面的要求来确定存储器芯片。它包括芯片型号和容量的选择。 ;00000H;二、CPU与存储器的连接;eg：要将6116SRAM放在8088CPU最低地址（00000H~007FFH）; 片内译码的工作由存储器内置的译码器完成，而片外译码则需要根据给存储器分配的地址区间，由用户进行译码电路的设计。 常用的译码电路：;片外译码的方法： 1）全译码法 系统总线中的全部地址总线除片内地址外，全部高位地址都接到片外译码电路中参加译码，形成片选信号。因此对应于存储芯片中的任一单元都有唯一的确定的地址 。 eg：要将6116SRAM放在8088CPU最低地址区域 （00000H~007FFH）;2）部分译码法 系统总线中的地址总线除片内地址外，部分高位地址（不是全部高位地址）接到片外译码电路中参加译码，形成片选信号。因此对应于存储芯片中的单元可有多个地址 。;; 6116SRAM 对应了4个地址空间。即： 00000H~007FFH （ A18，A19=0，0） 40000H~407FFH （ A18，A19=0，1） 80000H~807FFH （ A18，A19=1，0） C0000H~C07FFH （ A18，A19=1，1）;3）线选