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第三章 AT89S52存储器结构 主讲:杨存祥 第三章 AT89S52存储器结构 3.1存储器概述 3.2 AT89S52单片机的存储器结构 3.3 外部存储器及其访问 3.4 片内FLASH存储器操作 3.1存储器概述 优点 EPROM EEPROM 在线编程、可多次重复擦除、集程度高、价格便宜的优点。 3.2 AT89S52单片机的存储器结构 3.2.1 程序存储器3.2.2 数据存储器3.2.3 特殊功能寄存器SFR 3.2.1 程序存储器 1. 程序存储器的结构 2. 程序存储器中的中断矢量区 AT89S52单片机共有8个中断源，6个中断矢量 当中断源发出中断请求且CPU响应中断后便转移到中断服务程序执行。 在程序存储器中为中断服务程序保留了一段特殊的区域，即0003H~0032H存储单元被特殊保留，专门留给中断服务程序使用，被称为中断矢量区 2. 程序存储器中的中断矢量区 3.2.2 数据存储器 AT89S52单片机的数据存储器地址空间分为芯片内部和外部两个部分, 使用MOV类指令访问内部数据存储器， 使用MOVX类指令访问外部数据存储器 外部数据存储器最大地址空间为64KB 地址范围为0000H~FFFFH。 3.2.2 数据存储器 存储器结构图 寄存器组 寄存器组分配 3.2.3 特殊功能寄存器SFR AT89S52芯片内部有128B的特殊功能寄存器区 其特殊功能寄存器增加到了32个，与AT89C51相比增加了11个，与AT89S51相比也增加了6个 AT89S52的片内特殊功能寄存器占用256B的高128B字节（80H~FFH）地址 特殊寄存器对应表 对应表 按位寻址区对应表 按位寻址区对应表 3.3 外部存储器及其访问 3.3.1 外部程序存储器与访问 3.3.2 外部数据存储器与访问 3.3.1 外部程序存储器与访问 1. AT89S52单片机访问外部程序存储器所使用的控制信号 ALE：低8位地址锁存控制； ：外部程序存储器“读取”控制。 ：片内、片外程序存储器访问的控制信号。=1时，访问片内程序存储器；当=0时，访问片外程序存储器。 通过地址总线给出地址信号，选中程序存储器该地址的存储单元 由控制总线发出读选通信号，在读选通信号的控制作用下，将存储在被选中存储单元中的指令代码读出并送至数据总线 单片机通过对数据总线的访问读取已送至数据总线的指令代码，完成一次对外部程序存储器的访问过程。 3. 扩展外部程序存储器的连接方法 连接图 5. 访问外部程序存储器的时序 5. 访问外部程序存储器的时序 3.3.2 外部数据存储器与访问 1. 扩展外部数据存储器的连接方法 访问区别 外部数据存储器和和外部程序存储器共用0000H~FFFFH的64KB地址空间，但两者的读写控制信号不同 外部数据存储器的读和写分别由RD和WR信号控制，外部程序存储器的读选通由PSEN信号控制，因此不会发生地址重叠的现象。 访问外部数据存储器使用MOVX类指令， 如MOVX A，@Ri， MOVX @Ri，A， MOVX A，@DPTR，MOVX @DPTR，A 2. 访问外部数据存储器的时序 3.4 片内FLASH存储器操作 3.4.1 签名字节及读出3.4.2 程序存储器的加密3.4.3 Flash存储器的并行编程3.4.4 Flash存储器的串行编程 3.4.1 签名字节及读出 1. 签名字节 所谓签名字节是Flash存储器的生产厂商在生产AT89S系列单片机时，写入到Flash存储器中的一组用以说明单片机的生产厂商、型号和编程电压等的特征信息。 AT89S52的签名字节共有3B字节，具体在存储器中的地址和含义如表所示。 2. 签名字节的读出 读出电路逻辑结构如图所示 3.4.2 程序存储器的加密 1. 程序存储器加密的概念 为了保护所存储程序的安全性，防止被非法读出，保护开发者的合法利益，需要对写入Flash存储器中的程序进行加密。 AT89S系列单片机提供了3位加密位LB1、LB2和LB3，对每位加密位可维持原来的非编程状态（U），也可进行编程（P） 2. 程序存储器加密的方法 对3位加密位LB1、LB2和LB3进行编程。 编程按照LB1→LB2→LB3的顺序按位进行 注意，在对各位加密位进行编程时，其控制信号是不同的。如图所。 3.4.3 Flash存储器的并行编程 1. Flash编程器的并行编程方式 AT89S52单片机的内部Flash存储器在出厂时处于可编程状态，除签名字节已经有存储数据外其它存储单元的内容均为FFH。 编程时须接12V编程电压，与通用的Flash编程器或EPROM编程器兼容，因此可使用