渗透法应用于辉光放电质谱法样品制备.pdf

V01．27 第27卷增刊 质谱学报 Suppl． 2006年7月 JournalofChineseMass Jul．2006 SpectrometrySociety 渗透法应用于辉光放电质谱法样品制备 陈 刚，葛爱景，卓尚军，王佩玲 (中国科学院上海硅酸盐研究所，上海 200050) Infiltration onthe ofGD—MS TechniqueAppliedSamplePreparation CHEN Gang，GEAi-jing，ZHUOShang-jun，WANGpei—ling InstituteCeramics，Chinese 200050，China) (Shanghaiof AcademyofSciences，Shanghai aremixedwitha hostmatrix usually conducting Abstract：Non-conductingpowdersamples before mass un— glowdischarge technique der was on of highpressureappliedGe02samplepreparationGD-MS．Appropriateparame— tersof arediscussed．Thismethodensures low mixingprocedure goodhomogeneity，relative and resultsindicatethatinfiltration contamination technique satisfyingprecision．Analytical issuitableforthe ofoxide productionsamples． tech— words：glowdischargespectrometry(GDMS)；Oxidepowder；Infiltration Key mass nique 中图分类号：0657．63文献标识码：A 文章编号：1004—2997(2006)增刊一29一02 辉光放电质谱法(GD-MS)已广泛应用于固材料，混合比例不易确定。 体高纯金属及半导体材料的痕量及超痕量杂质 压力渗透法利用高纯低熔点金属溶化后的 元素分析。由于目前的辉光放电质谱仪均采用 流动性，渗透到粉体的空隙中，制得的样品一次 直流离子源，要求样品具有一定的导电性。对于 成型，可以大大降低污染的可能性[2]。渗透制样 非导电性粉体材料的分析，一般采用导电材料与 法目前尚未在GD-MS制样中获得广泛应用，本