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本征层对非晶硅晶体硅异质结太阳电池的影响.pdf
基础研究、新材料及新概念太阳电池 ·703·
本征层对非晶硅／晶体硅异质结太阳电池的影响
王敏花1刘晓平1李彦林1 羊建坤1任丙彦。1
1周
曹中谦2魏亚涛2 永2路建磊2高魏峰：|
1河北工业大学信息功能材料研究所天津300130
。2晶澳太阳能有限公司河北宁晋055550
【摘要】 本实验利用本征氢化非晶硅来钝化a-Si：H和c．si的界面，从而提高电池的转
换效率。
制备a·Si：H(p)，c-Si(n)异质结太阳电池所用的单晶硅片为250pm厚，
清洗，然后将清洗好的n型CZ．Si片烘干，真空蒸发铝，蒸铝后再在烧结炉中
’650。C下烧结铝背电极后放置备用。使用前分别用丙酮和酒精各超声清洗5分
钟，并用冷、热去离子水冲洗干净。沉积p型a-Si：H层之前，对c·si表面进
行钝化处理。我们对硅片表面钝化处理先是采用采用氢等离子体钝化处理10～
20秒。然后利用PECVD沉积～薄层本征a-Si：H缓冲层(5～10nm)。
测量太阳电池的I—V特性。在AMl．5G，100mW／cm2，250C的条件下，利
用太阳电池模拟器(氙灯和卤素灯混合而成)进行测量。讨论本征层厚度，氢
稀释度，温度等对太阳能电池转换效率的影响。结果得到较高效率的a．Si：H(p)
，a-si：H(i)／c-Si(n)一结构的太阳电池。
【关键词】 本征层I·V异质结太阳电池
●
●
Effectofintrinsiconthe ofHITsolarcell
layer performance
WANGMinhual，2LIU LI Jiankunl
Xiaopin91·2Yanlinl,YANG
WEI 。
Zhongqian2 Yon92
．RENBingyan!，CAO Yata02，ZHOU
LUJianlei2GAO
Weifen92
SchoolofMaterialScienceand Hebei 300130China
EngineeringUniversity
ofTechnology，Tianjin
solarlirnited 055550
Jingao company，Hebei
China．
0引言
晶体硅太阳电池具有转换效率高等优点一直占据着世界太阳电池生产的绝大部分。但受
晶体硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响，致使晶体硅太阳电池的成本价格居高不下。
非晶硅薄膜太阳电池生产工艺简单，制备温度低，便于大规模生产。但a—Si：H太阳电池的
·704． 中国太13a胄g光伏进
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