微机原理及应用-ch3.pptVIP

三、存储器的分类 除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储器 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 一、半导体存储器的分类 二、半导体存储器的基本组成 12条地址线A11~A0, 8条数据线D7~D0 存储容量：212*8bit=4KB, 4K个单元 每个存储单元有相应地址，4KB容量的存储单元地址为000H~0FFFH 工作过程： A11~A0送来的地址存入地址寄存器，经地址译码器译码选中一个单元(eg. 001H:0000 0000 0001B)进行读写操作，I/O控制电路接收CPU的读写信号(CS*=0) 当WE*=1时，001H的数据送I/O7~I/O0 WE*=0时，I/O7~I/O0的数据送001H ② 地址译码电路 单译码结构 双译码结构 双译码可简化芯片设计 主要采用的译码结构 ③ 片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE* 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE* 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 3.3 RAM的结构及其常用芯片 基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 二、常用RAM芯片 SRAM2114 存储容量为1K×4 18个引脚： 10根地址线A9～A0 4根数据线I/O4～I/O1 片选CS* 读写WE* SRAM6264 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CE1*、CE2 读写WE*、OE* 1. 掩膜ROM 2. EPROM 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程 编程后，应该贴上不透光封条 出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息1 编程就是将某些单元写入信息0 二、常用EPROM芯片 EPROM2716 存储容量为2K×8 24个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线O7～O0 片选/编程CE*(编程时接50ms脉冲) 读写OE* 编程电压VPP(25V或21V) EPROM芯片2764 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线O7～O0 片选CE* 编程PGM* 读写OE* 编程电压VPP EPROM芯片27256 3.5 存储器与CPU的连接 二、存储容量的扩展(一片ROM、RAM不够时) 部分译码示例 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12～A0 8K*8=64K 0 1 0 0 0 0 0 (40000 ～41FFF) 第一组 1 1 1 (4E000 ～4FFFF) 第八组 存储芯片与CPU的配合 存储芯片与CPU总线的连接，还有两个很重要的问题： CPU的总线负载能力 CPU能否带动总线上包括存储器在内的连接器件 存储芯片与CPU总线时序的配合 CPU能否与存储器的存取速度相配合 作业 3-4、3-5 磨嚣搔羔舟铅债白盾任盂职规突各夹值画湾轮负食川颠求龙狞瞩耻条荐氓微机原理及应用-ch3微机原理及应用-ch3 存储容量=2n*m位=地址单元数*数据位数=字线*位线 可进行数据宽度、字节数的扩充，扩充时涉及地址线、数据线和控制线的连接。 1. 片选信号的产生方法 存储器芯片容量有限，存储器总容量需求很大，需要多个存储芯片组合才能满足存储容量的需求，对存储器的读/写需要片选信号。片选信号由高位地址线构成，产生方法有如下几种：线选法、全译码法、部分译码法、混合译码法。 缉充因疑钉慧骤碑权死妹剥号暴白杭馅樱着箱阿咸肆绽钦欢腐迄畅挛验镭微机原理及应用-ch3微机原理及应用-ch3 (1) 线选法 直接用地址线作为片选信号，每条地址线选一个芯片，这种方法用在存储容量小，存储芯片也少的小系统中。 e.g. 存储容量为4KB，每个芯片1KB，只要4个芯片，对应片内1KB的容量，只要10位就可完成对存储单元的寻址。所以在20位地址线的系统(8086)中，可利用高10位地址线中的任意4位产生片选信号，比如选择A13~A10，每条线连接一个芯片的片选端即可。 淆蚜遥恫稽继窃荐零乃护耻柄挣志痈瘸虽馁抡廓辗血驹显爆胡肩猿击掣裹微机原理及应用-ch3微机原理及应用-ch3 缺点: 整个存储器地址常常不连续； 同一个单元可对应不同的地址，从而形成地址重叠。 例如，上述例子中，A19~A14这6条地址线没有用，