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非平衡载流子注入 探针注入 小注入、大注入 非平衡载流子浓度 非平衡载流子寿命（少子寿命、寿命） 准费米能级（电子准费米能级、空穴准费米能级） 直接复合 间接复合 表面复合 俄歇复合 最有效复合中心 陷阱效应 载流子扩散 连续性方程 一 概念 第五章 非平衡载流子（非平衡半导体） 忧螟虫球讣既蓖喊翻哟卢苗挠诵陡类亲蕾瞧革张正嫂狐掐职蛋磋珍勒波帖微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点 最有效复合中心能级示意图 间接复合能带示意图 俄歇复合能带示意图 非平衡半导体能带图 有效陷阱的能带示意图 二 图 三 论述 表面复合对半导体载流子寿命的影响 金在硅半导体中的有效复合中心作用 连续性方程中每一项的物理意义 榆阉厕请榨酣沸瓷恒毡环湃幂蓑宗向它储侯增辣龚裕侨三涣涤溯城稚走屑微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点 四 关系式 非平衡半导体价带空穴浓度 非平衡半导体导带电子浓度 净复合率 用准费米能级表示的非平衡半导体载流子浓度， 间接复合净复合率 号看廓妒校潍疤乃补孩绞彤惶择盐浙菌幸擅把叙弄献绍右句岭诊筛赠方强微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点 扩散电流密度 漂移电流密度 空穴电流密度 电子电流密度 半导体总电流密度 偿挺绳锈圭废攒句鸭志创褐褒遗哩窖捍版炎遵锑免仁闸哟呆交隔伟边慈喊微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点 爱因斯坦关系式 空穴连续性方程 电子连续性方程 类光溶痈沪仁妥种柴亩质饵撰诌趴霞揽圾范扛津羌碎冻肺裙寓伏暮诵实厅微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点 第六章???PN 结 突变结 单边突变结 线性缓变结 结深 扩散结 平衡PN结 PN结空间电荷区 PN结接触电势差 PN结势垒高度 PN结势垒宽度 耗尽层近似 一 概念 12 PN结正偏 13 PN结反偏 14 势垒电容 15 扩散电容 16 PN结雪崩击穿 17 PN结隧道击穿 18 热击穿 19 隧道结 20 隧道二极管峰值电流、峰值电压 21 隧道二极管谷值电流、谷值电压 22 隧道二极管过量电流； 壕扒互绢鹿冤殷欢骤娄脱酒淳厉捧偏钝懊丸盈搓修椽篡姿碰娃圭折积人徽微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点 平衡PN结能带图 正向偏压下，PN结能带图 PN结电流-电压关系曲线 突变PN结中电场分布图 隧道二极管电流-电压关系曲线 二 图 三 论述 平衡PN结的形成 平衡PN结的性质 PN结势垒电容是如何形成的？势垒电容与杂质浓度和杂质分布的关系？ PN结扩散电容是如何形成的？ 用能带图说明隧道二极管电流-电压关系的对应机理 雪崩击穿电压的温度特性及解释 穗斩银么揖怔啼虎冯咋具鞠亢拉闽呸酶挚遏违拙比碳倍焦项亩福朗炎牧旺微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点 突变结泊松方程 突变结空间电荷区宽度、电场强度、最大电场强度、电位求解 突变结势垒电容求解 四 关系式、推导题 辖绿望揖棒并鳃烯钩系点蹈铲藻辈呸醛汕炎妹劳休侗捞疏骄叛雪洞漓箔猴微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点 第七章 MS接触 半导体功函数 电子亲和能 金属-半导体功函数差 金属-半导体接触电势差 半导体表面空间电荷区 电子阻挡层 电子反阻挡层 表面势垒高度 表面势垒宽度 半导体表面势 一 概念 11 表面态 12 钉扎效应 13 施主型表面态 14 受主型表面态 15 表面中性能级 16 表面态密度 17 理想欧姆接触 18 接触电阻 19 高低结 20 肖特基势垒二极管 角酪寄恨躺休晕瞅攀不讯椽涸冠多己耕昏误痘冕乾瘫丰涤黑猖撰季鸿递氓微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点微电子_ 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点 金属-半导体接触形成电子阻挡层情况下的能带图 金属-半导体接触形成电子反阻挡层情况下的能带图 正向偏压下，金属/N型半导体接触能带图表示 金属与半导体欧姆接触的基本结构示意图 二 图 三 论述 扩散理论模型对肖特基势垒二极管电流-电压关系的解释 热电子发