三维高密度集成电路中锥形硅通孔电特性..docVIP

在低频段，(C + 2Cm )及(G + 2Gm )随p完全相反，如表3.1所示，它们对Zdiff实部部分抵消，在高频区间，随p增大，(L?Lm) 增大且(C + 2Cm )及(G + 2Gm )。，p的不断提升，在低频区间里，Zdiff实部不发生改变而且在高频，Zdiff实部提升，如图3.8（c）中所示。另一方面，随p增大，R和Cox1仍保持不变且(2CSi1 + CSi2) 减小，进而从式（61）及式（62）也可得出此相同结论。 在整个频段之内，(C + 2Cm )及(G + 2Gm )随r4变化趋势和它们随p变化趋势相同，如表3.1中所示。此外由于R主要由r1决定，而非由r4决定，所以R只随r4增大缓慢减小。因此，和Sd2d1幅度情况类似，Zdiff的实部随r4变化和它随p变化类似，如图3.8（c）及（d）所示。 最后，分析了σSi 对Zdiff的实部影响，如图3.8（e）中所示。在低频段内，由于此时(C + 2Cm )及(G + 2Gm )对Zdiff实部部分抵消Zdiff的实部随着σSi慢慢降低。在中频，随着σSi不断提升，区间(C + 2Cm )及(G + 2Gm )增大，所以Zdiff的实部减小。在高频段内，由于在式（62）中Cox1 (2CSi1 + CSi2) ，所以Zdiff的实部主要由Cox1决定，它不随σSi变化。所以，Zdiff的实部在高频段内随σSi增大不发生改变。 3.6小结 ，详细论述了SDTSV方式同时了它等效电路模型。然后用“－Y－”变换法对其等效电路模型进行简化，得到等效电路参数C, Cm, G, 及Gm 。进一步用HFSS对等效电路模型Sd1d1, Sd2d1, Sc1c1, 及Sc2c1幅度相位了验证，结果显示，工作频率最高达到100GHz时候，模型的准确度可靠性、有效性最好。，TSV对比，SDTSV在隔离层具有损耗。，本章，笔者提到了SDTSV RLCG指数的提取。结果，HFSS提取以及模型所得SDTSV RLCG指数在100GHz频率，内均匹配完好。的全波提取差分线非常实用。为3D IC里需要采用SDTSV供应合理的设计，本章，笔者还成立的等效电路模型方式，分析了SDTSV以及材料参数r1, tox, p, r4和σSi对它电磁指数Sd2d1以及Zdiff实部的。结果，Sd2d1振动幅度在低频区间里，主要由R决定，而在高频段内主要由(C + 2Cm )及(G + 2Gm )决定。同时，Zdiff的实部在低频段内主要由R及Cox1决定，而在高频段内主要由Cox1及(2CSi1 + CSi2) 决定，，Cox1关键作用。采用建立等效电路模型方式，在SDTSV之前，测评它的电磁性能，大大设计时间，提升3D IC稳定性。 第四章 总结与展望 4.1工作总结 ，人们TSV的研究得如火如荼，的主要有TSV电学电磁、耦合工艺、模式TSV构造等。本文，笔者的研究之上，了SDTSV的电学特性，主要的研究成果如下： 随着3D IC频率，为充分高速信号性可靠性，差分信号技术都采用芯片高速I/O通道。本文，笔者详细论述了SDTSV的结构同时成立它的等效电路。SDTSV组成结构同的TSV，它两TSV传送差分信号。它金属层用作外部电磁干扰的层还可以内部差分传输线往返。同类型的TSV，SDTSV不需要添加额外处理工艺，它TSV以及TSV的多种优点。的SDTSV等效电路模型结构非常复杂，大规模，本文采用“－Y－”法它了简化，获得SDTSV等效电路模型。HFSS仿真以及化等效电路模型SDTSV S运行指数在频率达到100GHz，匹配最好。 SDTSV RLCG指数不仅可以在理论模型，还应用在全波中，采用HFSS仿真可得。本文，笔者详细论述了SDTSV RLCG的提取。外，SDTSV RLCG参数的提取非常适用多种差分传输线。 为在3D ICSDTSV供应实用、的设计，本文，笔者选用处理SDTSV等效电路模型针对SDTSV的电磁效果展开了深入的分析。，应用过程里人们最的是SDTSV。本文，笔者详细论述了内部层厚度、信号线距离衬底电导率对两个指数参数影响。 4.2工作展望 如今，TSV和3D IC正的发展时期，它们的还不深入、具体，的创新。我们的基础，从长远分析，我们的工作主要有方面： 3D IC、高、高、低等方向发展，，TSV以及其他方面的设计也有的创新和发展。，为了满足在不同条件成本需求，TSV结构也面向、系统化方向发展。TSV组成结构不充分提升3D IC运行性能还大大提高3D IC设计灵活性有效性稳定性。 致谢 毕业论文，是在丁老师的辅导帮助下完成的。从论文的最终定稿，丁老师给予了我的帮助，提出了中肯、宝贵的。丁老师认真求实的品质，严谨的治学风格是我一生的榜样。在此，我像他表示衷心的感谢，感谢在这段