填空复习题答案..docVIP

填空复习题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 锗二极管的门槛电压约为 0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2__V。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场 加强 。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 电子 、本征半导体的载流子为 电 子—空穴对 。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 N型 半导体和 P型 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 和反映反向特性的 反向击穿电压 。 12、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基本类型。 *13、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 电容，影响高频信号放大的是 电容。 14、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则 IBQ 增大 ， ICQ 增大 ， UCEQ 减小 。 15、三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 。集成运算放大器是一种采 用 直接 耦合方式的放大电路。 16、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V,该三极管是 硅 管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。 17、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB，总的电压放大倍数为 10000 。 18、 三极管实现放大作用的外部条件是： 发射结正偏 、集电结反偏 。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是 硅 管（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚是 a 。 19、三种不同耦合方式的放大电路分别为： 阻容 耦合 、 直接耦合 和_变压器耦合 _，其中 直接耦合 能够放大缓慢变化的信号。 20、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载 ，而前级的输出电阻可视为后级的 信号源的内阻 。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带 要窄 。 21、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ 。 22、为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结 偏置，集电结 偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC 0 。 23、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射 组态有电流放大作用， 组态有倒相作用； 组态带负载能力强， 组态向信号源索取的电流小， 组态的频率响应好。 24、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位差为 ；当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为 。 25、放大器有两种不同性质的失真，分别是 失真和 截止 。 26、晶体管工作在饱和区时，发射结 ，集电结 ；工作在放大区时，集电结 ，发射结 。（填写a正偏，b反偏，c零偏） 27、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用 组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用 组态。 28、场效