252SMD固制程检验规范.docVIP

说 明 1.范 围:已固晶之半成品(SMD)。 2.使用设备:显微镜﹑镊子、推力计。 3.检验方式:以“片”为单位进行抽检。 4.检验项目:标示检查、外观检查、特性检查。 5.抽样计划(1)每2小时抽检3片的数量进行外观检查。 (2).特性检查:特性检查以机台进行抽样,要求每台机每批材料抽5PCS做芯片推力试验,做完试验的材料需夹芯片处理。 6.判定标准:(1).外观检查: (不良率出现在P管制图以下(a)-(e)异常情形则开立“制程矫正措施单”且追溯前2小时之批量材料再Q检,Q检不良率在(a)-(e)情形,则将此两批材料全数退回生产线重工全检. (a)点超出管制上限. (b)点落在P管制上限线上时. (c)连续7点落在中心线之上或之下. (d)连续7点上升或下降. (e)任何其它明显非随机的图形. 芯片暗裂,芯片固重,混料有1PCS不良时,生产线停机调整,IPQC开立“制程矫正措施单”IPQC追溯前2小时材料抽检,生产线须对前2小时材 料进行全检,超过1%(含)则整批材料(含2小时材料)报废。 (2).特性检查: 1PCS(含)以上不良时,该烤箱所烘烤之半成品须再烘烤1小时后重做推力. a.重检推力普通芯片不足50g,PTR芯片不足250g,则开立“制程矫正措施单”,材料作报废处理. b.重检推力OK,而断点在A点,需重做一次,若结果仍是如此,则开立制程矫正措施单,并把其处理结果写于制程矫正措施单备注栏。 7.记录:(1)外观检查结果记录于固晶检验表上. (2)特性检查之结果记录于芯片推力记录表上。 8.其它 P管制图界限的设定. CL中心线设定=∑r(总不良个数)/ ∑n(总检查个数) UCL(管制上限)设定= 说 明 管制图 R管制图 CL= UCL上管制界限= LCL下管制界限= (A2、D4、D3查表得之) (2)抽检时间不可超过2小时。 项目 检查 品质特性及标准 使用设备 备注 标示检验 1.SMD流程卡填写是否确实. / 外观检查 1.银胶过多:普通芯片银胶量不可高于芯片高度的1/3.PTR芯片银胶高度不可高于芯片高度的1/2,银胶不可超过线路边缘(与相对另一线路边缘)间距之1/2,两极间间隔必须≥90μm。(图一) 显微镜 2.芯片沾胶:银胶沾于芯片表面。(图四) 显微镜/镊子 3.支架短路:支架变形后大、小头相接触。（图七） 显微镜/镊子 4．芯片固错：混到不同型号的芯片。（图十） 显微镜/镊子 5．芯片破损：芯片破损大于单边芯片宽度1/5或破损到铝垫（图二）。PRTA区破损不可延伸B区。（图十五） 显微镜/镊子 6．银胶过少：（1）普通芯片底部1/4周长或超过1/4周长，未在银胶上或银胶少于芯片高度的1/4。（图五） （2）PTR芯片银胶少于芯片高度的1/4或芯片底部超过1/4周长未在银胶上。 显微镜 7．银胶短路：银胶沾连正、负极性。（图八） 显微镜 8．芯片固反：芯片的铝垫未朝上方。（图十一） 显微镜/镊子 9．芯片固歪：芯片转向超过30°。（图三） 显微镜/镊子 检查 项目 品质特性及标准 使用设备 备注 外观检查 10．铝垫刮伤、断裂：铝垫刮伤面积大于铝垫总面积之1/3，或铝垫有断开现象。（图六） 显微镜 11．芯片倾斜：不允许有倾斜现象。（图九） 显微镜 12．漏固：遗漏未固晶。（图十二） 显微镜 13．芯片方向固错：芯片未按工作指示单，圆形支架铝垫未靠近小支架处。（图十三） 显微镜/镊子 14．固重芯片：芯片重叠。（图十六） 显微镜/镊子 15．银胶点偏：银胶偏离支架中心点的距离大于芯片1/4宽度。（图十九） 显微镜 16．掉芯片：芯片受外力作用已脱落。（图二十二） 显微镜 17．支架变形：支架受外力作用尺寸不在规格内。（图十四） 显微镜 18．支架沾胶：支架平面大于1/4面积沾有银胶。（图 十七） 显微镜 19．杂物：杂物最大尺寸不得超过5mil。（图二十） 显微镜/镊子 20．位置不正：芯片偏移支架中心不可超出±60μm，L3015系列不可超出±30μm。（图二十三） 显微镜/镊子 21．绝缘胶过多：绝缘胶高度超过芯片高度的2/3。 显微镜 22．绝缘胶过少：绝缘胶高度低于芯片高度的1/4或芯片底部超1/4周长未在绝缘胶上。 显微镜 23．芯片暗裂：芯片受外力及应力作用而导致芯