工艺考试(答案).docVIP

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工艺考试(答案)

工艺技术工艺考试试题 题号 一 二 三 四 五 总分 评卷 得分 (请将姓名、部门写在密封线内指定位置) 填空题 1.氯硅烷的沸点:TCS 31.8℃ TET 57.6℃ DCS 8.3℃,我们常用PPm和PPb表示多晶硅杂质的含量,则PPm= 10-6 ,PPb= 10-9 。TCS精馏的主要作用是除杂和分离,本厂主要处理的杂质B 、P 、As 、Fe 、Al 、Cu 、Ca 、Mg等金属杂质,其中对多晶硅影响较大的是B、P间接换热直接换热蓄热式换热泵出口压力波动、电流波动制取氢气的方法较多,一般用电解水和电解食盐水来制得氢气,用此两种方法所得的氢气其杂质含量各不相同。 32.正确佩戴安全帽有两个要点:一是安全帽的帽衬与帽壳之间应有一定间隙;二是必须系紧下鄂带 2.简述冷氢化的工艺和反应方程式? 答:冷氢化是将还原副产的四氯化硅与硅粉、氢气在流化床反应炉中,在530度左右、2.0-3.0MPa(G)条件下反应生成三氯氢硅,副产二氯二氢硅、金属氯化物、聚氯硅烷等产物,主反应: 3SiCl4 + 2H2 + Si = 4SiHCl3 - Q 、Si + 3HCl = SiHCl3 + H2 + Q 副反应:Si(s) +2 HCl(g) →SiH2Cl2 (g) 3.简述还原工艺和主要反应? 答:还原装置主要作用是将精馏提纯后的三氯氢硅在氢气作用下还原为多晶硅。其主要工艺过程是将高纯三氯氢硅气体和氢气通入还原炉,在1080度左右的硅芯表面发生反应,逐渐沉积生成高纯多晶硅棒;同时副产含有三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅、氢气和氯化氢等的还原尾气。主要反应方程式如下: (0.55Mpa) (0.55Mpa) (0.55Mpa) 4.简述还原尾气回收的工艺原理? 答:还原尾气回收装置主要作用是将还原尾气中所含的氢气、氯化氢以及氯硅烷(三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅的混合物)进行分离、回收。其主要工艺过程是将还原尾气通过冷凝、氯化氢吸收解析、氢气净化等分离措施,分离出的氢气返回还原炉继续循环利用,氯化氢送到三氯氢硅制备装置回收利用,氯硅烷输送到精馏装置进一步分离循环利用。 5.请问精馏的工艺原理? 答:精馏是利用混合物中各组分的相对挥发度不同而进行分离的,精馏是一种多级分离过程,既同时进行多次部分气化和冷凝的过程,它是由多次蒸馏演变而来的。将物料加热到泡点以上时,由部分物料气化,气相组分中的轻组分含量大于原物料的中的轻组分含量,因此气相混合物经过多次的冷凝后将获得高纯度的易挥发组分;如果将一定组成的气相物料降温到露点以下时,液相中的重组分含量必大于原气相中的重组分含量,因此若将液体混合物进行多次的部分冷凝,塔底将获得高纯度的难挥发组分。在塔中,以第N块板为例,第N+1块塔板的气相和第N-1塔板的液相在第N块板接触时,由于存在温度差和浓度差,气相要进行部分冷凝,使其中的部分难挥发的组分转入到液相中,而气相进行部分冷凝时放出的潜热传给液相,使液相发生部分气化,其中的易挥发组分转入气相中,使离开第N层板的液相难挥发组分增加,而离开第N层板的气相中易挥发组分浓度增高,这样经过多次的部分冷凝和气化从而达到分离的目的。 6.膨胀机单位制冷量的大小与哪些因素有关? 答:1.进出口压力一定时,机前温度越高单位制冷量越大。2.当机前温度和机后压力一定时,机前压力越高,则单位制冷量越大。3.膨胀机后压力越低,膨胀机压降越大,单位制冷量越大。4.膨胀机效率越高,温降效果越大,单位制冷量越大。 8.润滑油在制冷机中的主要功能有哪些? 答:⑴润滑作用;⑵降温作用; ⑶密封作用; ⑷降噪作用; ⑸能量调节作用。 9.公用工程工序中需要用到空压机、氢压机组,请问其压缩机的工作原理是什么? 答:当压缩机运转时,通过曲轴、连杆及十字头,将回转运动变为活塞在气缸内的往复运动,并由此使工作容积作周期性变化,完成吸气、压缩、排气、和膨胀四个工作过程。当活塞由外止点向内止点运动时,进气阀打开,介质气体进入气缸,吸气开始,;当到达内止点时,吸气结束;当活塞由内止点向外止点运动时,介质气体被压缩,当气缸内的气体压力大于其排气管中被压时排气阀打开,即排气开始,活塞到外止点时,排气结束。活塞再从外止点向内止点运动,气缸余隙中的高压气体膨胀,当吸入管中的压力大于正在缸中膨胀的气体压力时并能克服进气阀弹簧弹力时,进气阀开启,在此瞬时,膨胀结束,压缩机完成一个工作循环。 10.简述离心泵的工作原理?多晶硅项目中运用最多的泵是哪些? 答:离心泵启动前先将泵壳内充满液体,当离心泵启动后泵轴带动叶轮一起旋转,迫使叶片间的液体旋转,液体在离

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