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单级晶体管小信号放大器 实验目的 掌握单级放大器的 一种设计方法 掌握晶体管放大器静态工作点的放置与调整方法。 掌握放大器性能的测量和调整方法。 实验原理 电路工作原理 晶体管放大器中，广泛应用工作点稳定的阻容耦合共射极放大器，如图3-2-1所示  eq \o\ac(○,1)静态工作点Q主要由RB1、RB2、RE、RC及电源电压+VCC所决定。该电路利用电阻RB1、RB2的分压固定基极电位VBQ。如果满足条件I1IBQ，当温度升高时，ICQ↑→VEQ↑→VBE↓→IBQ↓→ICQ↓，结果抑制了ICQ的变化，从而获得稳定的静态工作点。 只有当I1IBQ时，才能保证VBQ恒定。这是工作点稳定的必要条件，一般取  eq \o\ac(○,2)此放大器是交流放大器中最常用的一种基本单元电路。交流信号经耦合电容C1加到基极，引起基极电流作相应的变化，从而控制集电极电流作更大的变化。它将在RC上产生交流电压，通过电容C2馈送到负载电阻RL上。这个输出电压VO比输入电压VI放大了AV倍。 为了使放大器正常放大，一定要设置合适的静态工作点Q。Q点应选择在三极管特性曲线的放大区的中间。 对于小信号放大器。一般取ICQ=0.5~2mA， 电路的静态工作点由下列关系式确定 阻容耦合放大器由于有耦合电容C1、C2及旁路电容CE的存在，将使放大器增益AV随信号频率下降而下降，幅频特性曲线如图3-2-2所示。 中间区域放大倍数最大，且基本不变，记为中频放大倍数AVM，而频率高于或低于该区域放大倍数都要下降，当AV下到0.707AVM所对应的频率应为fH和fL，分别是放大器的上限频率和下限频率。AV、fH和fL可按下式计算： 式中RE’=RE//[（RS+RBE）/（1+β）]通常RSrbe，可略去RS。又以为，C1、C2对fL的影响小于CE，可略去C1、C2。放大器的fH将取决于集电极负载，三极管本身极间电容和外部线路分布电容，为了消除分布电容大小不一的影响，又能满足fH的要求往往加上较大容量的CO。 设计举例 设计一阻容耦合单级晶体管放大器 已知 VCC=+12V，RL=1.5KΩ，VI=10MV，f=1kHz的正弦波 要求 ：AV=40,放大器工作点稳定 解  = 1 \* GB2 ⑴ 确定电路及晶体管 因为只要求放大器工作点稳定及AV=40而无其它要求，因此可采用图3-2-1所示的分压式偏置共射极放大器，晶体管选用高频小功率管3DC8，通常要求βAV，故选β=60  = 2 \* GB2 ⑵ 计算元件参数 取ICQ=2mA，VBQ=4V得 取标称值1.5kΩ 则 对于音频小信号放大器经验是： 输入、输出耦合电容C1、C2通常取（5~20）μF，在此 取10μF 射极旁路电容CE通常取（50~200）μF，在此取100μF，CO取2000pF 设计任务 1．预习要求  = 1 \* GB2 ⑴掌握小信号低频放大器静态工作点的选择原则  = 2 \* GB2 ⑵掌握放大器主要指标的定义及其测量方法 2．设计课题：单级晶体管小信号放大器的设计 已知条件：VCC=+12V，RL=10mV ，f=1kHz的正弦波  = 1 \* GB2 ⑴基本技术指标要求 AV=50， 放大器工作点稳定  = 2 \* GB2 ⑵提高性课题 设计一单级放大电路，要求 AV=50，并能通过此电路观察Q点变化对输出波形的影响 实验步骤 在面包板上安装电路，加+12V电源 测量与调整静态工作点，VEQ、VBQ、VCQ使Q点处于三极管的放大区 用低频信号发生器加输入信号，测VO同时用示波器观察VO波形应不失真，计算AV=VO/VI 测放大器的输入阻抗RI，输出阻抗RO  = 1 \* GB2 ⑴测R/ 在信号源与放大器电路之间串接一个10KΩ电阻，如图3-2-4所示 ∵ ∴  = 2 \* GB2 ⑵测RO 如图3-2-5所示，可将放大器等效成一个电压源VO′（即空载输出电压）和RO相串联的信号源， 则 ∴ 测出上限频率fH和下限频率fL，f=1kHz时，将信号源频率由低向高改变，当VO减小到VO的0.707倍时，所对应的分别是fL、FH。 以上各步骤的结果应满足技术指标要求，若不满足应调整修改元件参数值，并将修改后的元件参数值标在电路图上。 六、实验报告要求 设计性实验报告要求包括： 已知条件 技术指标 实验仪器 电路原理 设计步骤  = 1 \* GB2 ⑴选择电路形式  = 2 \* GB2 ⑵电路设计：对所选电路中的各元件值进行计算式估算，并标于图中 测试与调整。  =