半导体三极管及其应用概述.ppt

3. 用万用表粗测晶体管性能 本章小结 1. 晶体管有NPN、PNP两大类。IE IB+IC它的输入特性曲线与二极管类似，输出特性曲线分饱和、放大、截止、击穿四个区，NPN型三种工作状态见表J2.1。 本章小结 本章小结 计算得此时该电路的电压放大倍数Au＝4.55，该值较小主要是因为三极管射极接入了一个200欧姆的电阻RE1。 按照该电路参数进行理论计算：rbe≈2.5kΩ，Au≈4.51。该值与实际测试值基本相符，造成偏差的主要原因为理论计算时使用的元件标称值与实际值不同。 四、光电耦合 3.光耦合器的主要参数 光耦合器的参数可分为输入参数、输出参数和传输参数。光耦合器的输入参数就是发光二极管的参数。输出参数与所用的光敏管基本相同，这里只对光电流和饱和压降加以说明。 （1）光电流 指光耦合器输入一定的电流（一般为10mA）、输出端接有一定负载（约500Ω）、并按规定极性加一定电压（通常为10V）时，在输出端所产生的电流。对于由光敏三极管构成的耦合器，光电流为几毫安以上；由光敏二极管构成的耦合器，则约为几十到几百微安。 （2）饱和压降UCE（sat） 指在由光敏三极管构成的光 耦合器中，输入一定电流（一般为20mA），输出回路按规定极性加一定电压（通常为10V），调节负载电阻，使输出电流为一定值（一般为2mA）时，光耦合器输出的电压。其值通常为0.3V。 四、光电耦合 传输参数主要为： （1）电流传输比CTR 指在直流工作状态下，光耦合器的输出电流IL与输入电流IF之比值即 CTR IL/IF 它的大小反映光电耦合器传输效率的高低，不加复合管时，总是小于1。 （2）隔离电阻RISO 指发光二极管与光敏管之间的绝缘电阻，反映输入与输出之间的绝缘水平，一般为109~1013Ω。 （3）极间耐压UISO 指发光二极管与光敏管之间的绝缘耐压，一般都在500V以上。 四、光电耦合 4.光耦合器的选用 光耦合器的实际应用一般分为线性应用和非线性应用，光敏三极管型光耦合器的响应速度快，线性度好，电流传输比CTR小，适用于要求速度快，线性度好，信号较强的场所；达林顿晶体管型光耦合器响应速度慢，线性度好，电流传输比CTR大，适用于小信号场合。因此实际应用中必须根据条件加以合理选用，常见的有4N××系列、TLP×××系列、MOC××××系列等。 光耦合器根据电流传输比和光耦合器发光二极管电流特性曲线不同可分为线性光耦合器和普通光耦合器两种。 四、光电耦合 图2.8.6 两种光耦合器的CTR-IF特性曲线 四、光电耦合 光耦合器的CTR类似于三极管的hfe β ，是光耦合器的重要参数。 实际的CTR值取决于光耦合器的输入电流和输出电流值与光耦的电源电压值。施加于输出光敏三极管的偏置电压UC值不同，其输出/输入电流比曲线亦不同。典型光敏三极管输出/输入电流比曲线如图2.7.7所示。 注意！由于LED的发光效率和光敏三极管的电流增益变化，各个光敏的实际CTR值可能明显地偏离典型值。 四、光电耦合 图2.8.7 不同UC值的输出/输入电流比曲线 四、光电耦合 国内目前广泛应用的由英国埃索柯姆公司和美国摩托罗拉公司生产的4N系列光耦合器如4N25、4N26、4N35光耦，呈现开关特性，其线性度差，适用于传输数字电路。 放大电路及在开关电源中光耦合器用在输出电压取样、反馈电路部分，应选用线性光耦合器。 2.8.2 多级放大电路性能参数的估算 单级放大器的某些性能指标可作为分析多级放大器的依据。多级放大器的主要性能指标采用以下方法估算。 一、电压放大倍数 由于前级的输出电压就是后级的输入电压，因此，多级放大器的电压放大倍数等于各级放大倍数之积，对于n级放大电路， 注意：在计算末级以外各级的电压放大倍数时，应将后级的输入电阻作为前级的负载。 二、输入电阻 多级放大器的输入电阻Ri就是第一级的输入电阻Ri1，即 Ri Ri1。 三、输出电阻 多级放大器的输出电阻等于最后一级（第n级）的输出电阻Ron，即 Ro Ron。 1. 直接耦合放大电路能否放大直流电压信号？ 2. 在共射放大电路与负载之间加接一个电压放大倍数约等于1的共集电路，电路总的电压放大倍数与之前相比是否会发生变化？为什么？ 3.一个多级分立元件放大电路，要使放大倍数大 几百倍 、输入电阻小、输出信号与输入信号同相，你将选用什么样的电路组合？ 4.光耦合器有哪些突出的优点？ 2.9 共射放大电路的频率特性 放大电路的频率特性可用电压放大倍数与频率的关系来描述， 即 2.9.1 频率响应的基本概念和波特图 放大倍数模值与频率之间的关系，称为幅频特性，用Au f 表示。电压放大倍数的相位与频率之间的关系，称为相频特性，用φ f 表示。 幅频特性和相频特性统称为放大电路