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PCB化学镀镍/金工艺介绍（二） 二、 化学镀金　　目前化学镀金工艺主要有二种，化学浸金和化学镀金两种。　　3.1浸金---浸金就其机理而言应为置换反应即：Ni+2Au+→Ni2++2Au由于金和镍的标准电位相差较大，在合适的溶液中会发生金在镍表面置换沉积出来从反应式我们可以看出，浸金反应要进行必须要有镍层的存在，但随着置换出的金层厚度的增加，镍被完全覆盖后，浸金后反应就停止了。一般浸金层的厚度较薄，通常为0.1微米，这即可降低成本，也可提高后续电子元件钎焊率。如果刻意追求较高的浸金层的厚度，不但无益，反而有害，从浸金的原理可知，要想获得较厚的金层，就必须有镍的存在，所以只有在金层孔隙率较大的情况下达到这一点，而这样以后装配电子元件的钎焊性有不良影响。 　　常用化学浸金的配方与工艺条件：　　氯化铵————————150克/升　　柠檬酸氢二铵—————100克/升　　氰化亚金钾——————2克/升　　稳定剂————————适量　　温度—————————大于90度c　　PH —————————4.0　　3.2化学镀金：化学镀金的原理是利用还原剂，将金还原后均匀沉积在被镀物上，达到所需要的厚度（目前化学镀Ni-P-贵金属Au已进入实用商品化阶段。这类镀层称多元合金镀层、三合一镀层。所以金厚度可达15μ″以上）-。其反应式：Au++Red→Au0+ox 工艺组分如下：　　金（以氰化亚金钾形式加入）———0.5-2克/升　　柠檬酸铵————————————40-60克/升　　氯化铵—————————————70-80克/升　　偏亚流酸钾（钠）————————10-15克/升　　次亚磷酸钠———————————10-15克/升　　PH———————————————4.5-5.8　　温度——————————————90度c　　四、化学镀镍/金工艺简介：　　４．1 工艺流程：阻焊膜后裸铜电路板上板→酸性除油→两级水洗→3%过流酸盐预浸（微蚀）→两级水洗→活化处理→催化→后浸→两级水洗→化学镀镍→两级水洗→化学金→金回收→水洗→热去离子水洗→下架→吹干　　４.2 除油处理—化学镀镍/金前处理宜采用酸性除油液，主要要求其除油能力强，且容易水洗，不能含有络合能力强的络合剂、护铜剂，更不可加入铜面防氧化剂。除油能力较强的碱性除油液也可采用。　　酸性除油——组分————含量————工艺控制条件　　———Acip Cleaner pc—200-300ml/l—温度：40-60度c　　——————PH—————1.0-2.2———时间：0.5-3分钟　　——————SG————1.025-1.04——当Cu含量大于1000PPM时更换容液　　４． 3微蚀刻—微蚀刻可采用过硫酸盐/流酸系列，也可采用双氧水/流酸系列，要求微蚀掉0.5-1微米的铜层。考虑环境保护和微蚀刻表面的要求，一般选用双氧水/流酸系列。　　微蚀——组成—————含量————工艺控制要求　　———流酸（98%）—80-90ml/l——温度：30-38度c　　——双氧水（30）—80-90ml/l——时间：1-1.5分钟　　——CuSo25H2O_——20-100g/l——当流酸铜含量大于100g/l时　　——微蚀速度——--1.5μm/min—-更换溶液或视微蚀效果再定　　４．3铜面活化——在电化序中，铜位于镍的后面，必须首先将铜面活化，才能进行化学镀镍。印制板化学镀镍前的铜面活化，大多是采用先在铜面上生成一层置换钯层的方式使其活化。活化溶液可采用硫酸钯或氯化钯的溶液（含pb为了ppm）, 由于氯化钯容易造成铜面钝化，通常采用硫酸钯者为多。为了效地活化裸铜表面，而又不活化无需化学镀的绝缘基材部分，尽量采取极低的钯含量活化液，同时加强水冲洗来保证。　　工序——组成——————含量———工艺控制要求　　活化—HCL(SG1.16)——50-100ml/l——温度：室温；时间：0.8-1.5分钟　　————————————————－-溶液混浊即刻更换　　催化——pb——―――0.08-0.12g/l——温度：20-30度c；时间：3-5分钟　　————HCL————150-200ml/l——缓慢机械搅拌；当裸铜表面积达 　　______________________________1.1*104ft2或 Cu含量大于500ppm时更换溶液　　后浸——HCL————50-100ml/l——温度：室温；时间：0.4-0.6分　　——―――――――――――――――当Pd含量大于20ppm时更换溶液