第9章、半导体二极管和三极管要点分析.ppt

稳压管的伏安特性曲线： U I + － 正向 + － 反向 UZ 稳压管工作于反向击穿区。 稳压管与一般二极管的不同： 稳压管的反向击穿是可逆的。 稳压管的主要参数： U I UZ （1）稳定电压 UZ 稳压管在正常工作下管子两端的电压。 稳压管的主要参数： U I UZ （2）稳定电流 IZ 稳压管在正常工作下通过的电流。 对每种稳压管都规定一个最大稳定电流IZM。 IZ IZM 稳压管的主要参数： U I UZ （3）动态电阻 rZ 动态电阻是指稳压管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值。rZ = ?UZ / ?IZ IZ IZM ?UZ ?IZ 稳压管的反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越小，稳压性能越好。 稳压管的主要参数： U I UZ （4）最大允许耗散功率 PZM 管子不致发生热击穿的最大功率损耗： PZM = UZIZM IZ IZM ?UZ ?IZ 稳压管的主要参数： U I UZ （5）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 IZ IZM ?UZ ?IZ §9.4 半导体三极管 9.4.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 图形符号 T §9.4 半导体三极管 9.4.1 基本结构 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 图形符号 T 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 9.4.2 电流分配和放大原理 1 实验结论： 1、发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。 即：IE=IB+IC —— 基尔霍夫定律 实验线路 RB EC EB B C E T V V UCE UBE mA ?A IB IC mA IE 基极电路 集电极电路 9.4.2 电流分配和放大原理 实验结论： 实验线路 mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB IC B mA C E T IE 2、 晶体管的电流放大作用 9.4.2 电流分配和放大原理 实验结论： 实验线路 mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB IC B mA C E T IE 3、晶体管起放大作用的条件： 发射结正向偏置，集电结反向偏置。 （1）输入特性：当集—射极电压UCE为常数时，输入电路中基极电流IB与基—射极电压UBE之间的关系曲线。 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 9.4.3 特性曲线 IC UCE UBE RB IB EC=UCC EB RC + _ + _ 9.4.3 特性曲线 IC UCE UBE RB IB EC=UCC EB RC + _ + _ （2）输出特性：当基极电流IB为常数时，集电极电流IC与集—射极电压UCE之间的关系曲线。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 放大区（线性区）：IC=?IB 特点： 发射结正偏，集电结反偏。 9.4.3 特性曲线 IC UCE UBE RB IB EC=UCC EB RC + _ + _ （2）输出特性：当基极电流IB为常数时，集电极电流IC与集—射极电压UCE之间的关系曲线。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 饱和区：IC ? IB 特点： 发射结正偏，集电结正偏。 9.4.3 特性曲线 IC UCE UBE RB IB EC=UCC EB RC + _ + _ （2）输出特性：当基极电流IB为常数时，集电极电流IC与集—射极电压UCE之间的关系曲线。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 特点： 发射结反偏，集电结反偏。 截止区 : IB=0, UBE 死区电压 * 第九章 半导体 二极管和三极管 第9章 半导体二极管和三级管 § 9.1 半导体的导电特性 § 9.2 PN 结及半导体二极管 § 9.4 稳压管 § 9.5 半导体三极管 § 9.3 半导体二极管 §9.1 半导体的导电特性 导体、半导体和绝缘体 自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 另有一类物质的