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模拟电子技术 试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9 第一章 半导体器件 一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 ，少数载流子应是 。 2、 在N型半导体中，电子浓度 空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度 空穴浓度。 3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变 。 4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是__________区、_________区、__________区。 5、场效应管分为两大类：一类称为____________，另一类称为____________。 6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为__________或__________。 7、半导体二极管的基本特性是 ____，在电路中可以起_______和_______等作用。 8、_______和________。 9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 运动和少数载流子的________运动。 10、硅二极管的死区电压约为______V，锗二极管的死区电压约为______V。 11、晶体管穿透电流是反向饱和电流的__________倍，在选用晶体管的时候，一般希望尽量__________。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是__________。 13、PN结具有_________特性。 14、双极型三极管有两个PN结，分别是_______和_______。 15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____________偏置，集电路_____________偏置。 16、场效应管是__________控制型元件，而双极型三极管是___________控制型元件。 17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 ，少数载流子应是 。 18、P型半导体的多数载流子是 ，少数载流子是 。 19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为 或_______。 20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_______、_______和________。 21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_____________向电压；（2）集电结外加___________向电压。 22、N型半导体可用___________离子和等量的___________来简化表示。 23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___________。 24、二极管的两个电极分别称为______极和______极，二极管的符号是________。 25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会_____移，输出特性曲线会 ________移，而且输出特性曲线之间的间隔将___________。 26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是_____________。 27、P型半导体可用_______离子和等量的________来简化表示。 28、主要半导体材料是______和______；两种载流子是_________和_________；两种杂质半导体是_________和___________。 29、二极管外加 向电压导通，外加 向电压截止。 30、当温度升高时，三极管的参数β会 ________，会 ________，导通电压会 _________ 。 31、双极型三极管有两种载流子导电，即_____________和_____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即_____________导电。 32、N型半导体的多数载流子是 ，少数载流子是________。 33、某晶体管的极限参数，，。若它的工作电压，则工作电流不得超过_______；若工作电压，则工作电流不得超过_______；若工作电流，则工作电压不得超过_______。 34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为=－9V， =－6.2V， =－6V，则该三极管是_____________型三极管，A为_____________极，B为_____________极，C为_____________极。 35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_____。 36、场效应管输出特性的三个区域分别是_____________区、_____________区、_____________区。 37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为__________。 38、场效应管与晶体管比较， 管的热稳定