晶科电池工艺培训.pptVIP

由于半导体不是电的良导体，电子在通过p－n结后如果在半导体中流动，电阻非常大，损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属，阳光就不能通过，电流就不能产生，因此一般用金属网格覆盖p－n结（如图 梳状电极），以增加入射光的面积。 　　另外硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用。为此，科学家们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜（如图），实际工业生产基本都是用化学气相沉积沉积一层氮化硅膜，厚度在1000埃左右。将反射损失减小到5％甚至更小。一个电池所能提供的电流和电压毕竟有限，于是人们又将很多电池（通常是36个）并联或串联起来使用，形成太阳能光电板。 去磷硅工序工艺要求 去磷硅后的片子，不允许用手摸片子的表面。收片员工只容许接触片子的边缘进行装片。并且要勤换手套，避免PECVD后出现脏片！ 认真执行每批片子的腐蚀重量和绝缘电阻的检测工作，绝缘电阻是衡量后清洗工艺的重要指标。所以希望上班的测片员工认真完成这项工作。A,要求每批测量4片。B,每次放测量片时，把握均衡原则。如，第一批我们把测试片放在1.3.5.7道，那下一批我们要求将测试片放在2.4.6.8道。这样我们也就可以检测设备稳定性以及溶液的均匀性。 生产没有充足的片子时，工艺对产线员工的要求。A,如果有一个小时以上的停机，我们要求要将刻蚀槽的药液排到tank，减少药液的挥发。B,停机后没半小时用水枪冲洗碱槽喷淋，以防结晶盐堵塞喷淋。 C,停机一个小时以上，要在开启机器生产前半小时用水枪冲洗风刀处的滚轮，杜绝制绒后的片子有滚轮印！ PECVD工艺培训 PECVD的原理 目录 PECVD的作用 PECVD：Plasma EnhanceChemical Vapour Deposition 等离子增强化学气相沉积 定义 等离子体：由于物质分子热运动加剧，相互间 的碰撞就会使气体分子产生电离，这样物质就 会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子 和中性粒子组成的混合物。 PECVD的作用 在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。其还具有卓越的抗氧 化和绝缘性能，同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽 扩散的能力；它的化学稳定性也很好，除氢氟酸和热磷酸能缓慢 腐蚀外，其它酸与它基本不起作用。 PECVD的作用 减少入射光的反射 PECVD的作用 钝化太阳电池 在SiN减反射膜中存在大量的H，在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。 PECVD的原理 PECVD的原理 PECVD的原理 空气或玻璃 n0=1 or 1.5 SiN减反膜的最佳折射率n1为 1.9或2.3 硅 n2=3.87 在左图中示出了四分之一波长减反射膜的原理。从第二个界面返回到第一个界面的反射光与从第一个界面的反射光相位相差180度，所以前者在一定程度上抵消了后者。即n1d1=λ/4 PECVD颜色和膜厚的关系 氮化硅颜色与厚度的对照表 颜色 厚度（nm） 颜色 厚度（nm） 颜色 厚度（nm） 硅本色 0-20 很淡蓝色 100-110 蓝 色 210-230 褐 色 20-40 硅 本 色 110-120 蓝绿色 230-250 黄褐色 40-50 淡 黄 色 120-130 浅绿色 250-280 红 色 55-73 黄 色 130-150 橙黄色 280-300 深蓝色 73-77 橙 黄 色 150-180 红 色 300-330 蓝 色 77-93 红 色 180-190 　 　 淡蓝色 93-100 深 红 色 190-210 　 　 丝网印刷工艺培训 二 丝网印刷的工作流程 上料---第一道印刷---烘箱---第二道印刷----烘箱-----烘箱---第三道印刷---烧结----下料 四 浆料的使用 使用前应将银浆、银铝浆放置在滚筒搅拌机上搅拌24小时。铝浆放到JB600—D拌机上搅拌30分钟，转速为50转/每分。 目前工艺要求： 第一道印刷银铝浆型号为ferro3398作用：具有良好的欧姆接触特性和焊接性能，长期附着性能很好。 作用：收集载流子。 四 浆料的使用 第三道印刷银浆按照硅片的不同类型使用不同的型号单晶为ferro33—462、作用：收集电流。 烘干炉、烧结炉的作用：烘干是为了去除浆料中的有质部分；烧结是为了让上下电极形成欧姆接触，提高转换效率。 印刷工序工艺要求 严格按照工艺要求的印刷重量进行生产。如果更换网板刮条后印刷重量不符工艺要求，要及时向当班的工艺技术员反应，将重量调至达标，才能进行生产。 印刷不能偏移，不能出现印刷不全。 正面不允许有两处断线。 不允许浆料污染到片子。 生产操作过程中严格要求生产要求，不允许不带手套