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COGBonding制程介绍及管理.ppt
目錄 Part1:COG制程介紹 Part2:COG物料介紹＆管控 Part3:COG制程管理規范 Part4:COG制程監控 Part1:COG制程介紹 Part1:COG制程介紹 二、 COG流程概述 Part2:COG物料介紹＆管控 Part2:COG物料介紹＆管控 Part2:COG物料介紹＆管控 ACF DATA sheet Part2:COG物料介紹＆管控 Part2:COG物料介紹＆管控 原則一：IC上每顆Bump上需catch足夠之有效破裂導電粒子。 原則二：Bump space不可發生粒子聚集造成short現象。 原則三：ACF選用寬度需大於IC寬度0.2㎜~0.5㎜(最佳) 原則四：ACF選用需對應IC Bump Height(目前cp3020f3可對應Bump Height 9um之IC) 制程條件選擇-DOE 制程條件監控 作業過程管理 SPC管制 SPC管制 Giantplus Giant Vision Plus Your Life. * 模組生產技朮課 李文桃 一、 COG簡介 1. COG是Chip on glass的簡寫，是目前LCM產品中比較高 級的一種加工工藝。即在LCD上邦定一塊Chip（芯片）﹔ 2.COG制造工藝的目的：為液晶顯示屏LCD配上驅動電 路部分，使其成為具備一定顯示功能的IC顯示模塊LCM﹔ 3. LCM(Liquid crystal display module的簡寫) ：稱液晶顯 示器模塊，是將LCD與控制、驅動電路和線路板PCB裝配在 一起的組件。 PANEL 端子清潔 擦試端子 電漿機清洗 ACF Tape ACF貼附 IC IC搭載(假壓) 電測1(抽測) OM檢查 IC壓著(本壓) COG檢查 備注：此流程為COG工藝的大概流程，需根據產品的具體規格和標准制作生產! 一、IC (驅動模塊) a.IC是一種集成了許多復雜電路的芯片﹔ b.IC的保存條件為：22℃±5℃50±5%RH﹔ c.不使用時需密封保存，因IC比較貴，需特別妥善保管﹔ d.必須按制程規定的作業溫度、壓力等進行作業，以保証壓著品質﹔ e.實壓計算公式如下： IC邦定實壓=1Bump面積*1Chip內Bump數*ACF推力設定 30?40Mpa CP8830IH SONY 2Mpa AC-7106U HITACHI ACF推力 型號 材料商 1Mpa≒10.2Kgf/cm2 EPSON (愛普生) SED Philiph (飛利普) PCF Novatek (聯詠) NT Solomon (所羅門) SSD Samsung (三星) S6B Sitronix (矽創) ST Sunplus (凌陽) SPLC IC供應商 編碼 Hynix HM Isron IS Himax HX Ultra Chip UC Orise (旭曜) SPFD Hitachi HD 奕力 ILI IC供應商 編碼 Bump Mask Information(IC bump size) IC Type IC Supplier IC Size (um) Min. bump(um) Total bump area (um2) Pressure（Kgf) Length Width High Pitch Space Area 40Mpa 50Mpa 60Mpa 70Mpa 80Mpa ILI9163B ILITEK 9,900 670 280 16 15 1,568 1,579,380 6.44 8.05 9.67 11.28 12.89 ILI9221 ILITEK 17,200 1,250 400 21 20 2,280 2,689,440 10.97 13.72 16.46 19.20 21.95 ILI9320 ILITEK 21,680 1,250 400 20 19 2,100 3,376,000 13.77 17.22 20.66 24.10 27.55 ILI9322 ILITEK 22,092 712 400 18 18 1,800 3,312,000 13.51 16.89 20.27 23.65 27.03 ILI9325 ILITEK 17,820 870 400 16 16 1,568 2,602,720 10.62 13.27 15.93 18.58 21.24 ILI9326 ILITEK 21,550 906 400 18 18 1,980 3,255,200
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