微型计算机原理与应用 王法能 杨永生 主编 潘晓中 周晓娟 副主编 第六章新.pptVIP

6.1.1存储器的分类 6.1.3 高速缓冲存储器 6.1.4 外存储器 6.2 随机存储器（RAM） 6.2.1静态RAM（ SRAM）的工作原理 6.2.2 SRAM芯片介绍 6.2.3动态RAM(DRAM)的工作原理 6.2.4 DRAM芯片介绍 4．连接举例 例如：利用全译码方式将6264芯片连接到8086系统上，所占的内存区域为0F0000H~0F3FFFH，要求用译码器74LS138实现。 分析：首先我们知道6264的容量为8K×8位=8KB,而0F0000H~0F3FFFH占据了内存的16KB，所以一片6264无法完成，我们知道所需芯片数等与总容量除以每片容量，因此需要2片（16KB/8KB）6264芯片完成。如图6-7所示。 第一片的地址范围为：0F0000H~0F1FFFH 第二片的地址范围为：0F2000H~0F3FFFH 图6-7 两片6264连接图 动态读写存储器(DRAM),以其速度快、集成度高、功耗小、价格低在微型计算机中得到极其广泛地使用。目前,64Mb的DRAM芯片已作为商品出售。更大容量的DRAM芯片也已研制出来,为构成大容量的存贮器系统提供了便利的条件。 1．动态RAM基本存贮电路 常用的动态基本存储电路有4管型和单管型两种，其中单管型由于集成度高而愈来愈被广泛采用。我们这里以单管基本存储电路为例说明。图6—8所示为一个单管动态基本存储电路，它由一个管子T和一个电容C构成．这个基本存储电路所存贮的内容是0还是1是由电容上是否充有电荷来决定。 图6—8单管动态存储电路 2．动态RAM基本工作过程 在执行读操作时，译码器对行地址(低位地址)译码，使对应行选择线变在高电平．处于该行选择线控制下的该行上所有基本存储电路的开关管T都导通。这样，各列的刷新放大器便可读取相应电容上的电压电平，形成1或0信号。列地址(高位地址)允许选中的一行中的一个基本存贮电路输出。在这个过程中，整个一行上所有的电容都会受到干扰。为保持存贮的信息不变，由刷新放大器对该行中的各基本存储电路按读取的状态进行重写。在执行写操作时也与此类似，只是输入数据被存入选中的那个基本存贮电路中，而该行的其它基本存储电路只单纯地进行刷新。 DRAM同样在我们的微机系统中得到广泛的应用，常用的芯片有2118（16K×1位）、2164（64K×1位）等等，我们以典型芯片2164为例说明DRAM的原理。 * 【本章重点】本章重点介绍半导体存储器系统基本知识及分类，讲述微型计算机存储器系统的构成及微机系统与外部存储器的连接方法。 【本章难点】本章难点是存储器系统的构成和微机系统和外部存储器的连接方法。 第6章 半导体存储器 存储器是计算机中存储信息的部件，正是因为有了存储器，计算机才有了对信息的记忆功能，才能把计算机要执行的程序、所要处理的数据和计算结果存储在计算机中，使计算机能够自动工作。 按照用途和特点计算机的存储器可以分为两大类：一类叫内部存储器，简称为内存或主存，另一类叫外部存储器，简称为外存。内存是计算机主机的一个组成部分，它用来存储当前正在使用的或者经常要使用的程序和数据，且可以与CPU直接进行信息交换。内存的特点是工作速度高、容量小。 外存也是用来存储各种信息的，但是CPU要使用这些信息时，必须通过专门的设备将信息先传送到内存中。因此，外存存放相对来说不经常使用的程序和数据，另外，外存总是和某个外部设备相关的。外存的特点是大容量，但外存速度比较慢。微型计算机中常见的外存有软盘、硬盘、光盘等，都有较高的存储量，比如CD-ROM光盘可达650MB，硬盘已经达到了几十GB，而且容量还在增加。不过外存要配备专门的设备才能完成对外存的读写功能。比如，软盘有软盘驱动器，光盘配有光盘驱动器等等。 6.1 存储器系统基本知识 半导体存储器分为只读存储器（Read Only Memory 简称ROM）和随机存储器（Random Access Memory 简称RAM） 1、只读存储器（ROM） ROM共分为以下5种： (1) 掩模工艺ROM （2）可一次性编程ROM （3）紫外线擦除可改写ROM（EPROM） （4）电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PROM） （5）快速擦写ROM（flash ROM） 2．随机存储器RAM RAM就是随机存取存储器，但它的特点是即可读又可写。随机存储器RAM按其制造工艺又可以分为双极型RAM和金属氧化物RAM。?? (1)双极型RAM (2)金属氧化物（