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元器件的选用注意要点
电子镇流器设计中元器件 选用时的注意要点 1. Resister 2. Diode 3. Ceramic capacitor 4. Film capacitor 5. Aluminum electrolytic capacitor 6. Bipolar MOSFET RESISTER DERATING CURVE MAX VOLTAGE Diode Diode Reverse Recovery Time Ceramic capacitor Ceramic capacitor C~V Ceramic capacitor C~T Aluminum electrolytic capacitor Aluminum electrolytic capacitor 环境温度对寿命的影响: Lx=Lo*B(To-Tx)/10 式中： LX： 电容器的评估寿命 Lo： 电容器的额定寿命 To： 电容器的最高额定工作温度 TX.： 电容器的实际环境温度 B ： 温度加速因子（≈2） 纹波电流 引起的内芯温升 ΔT=( I ripple )2*RESR/(β*A) 式中： ΔT : 纹波电流发热引起的内芯温升 ΔT=内芯温度—环境温度 I ripple : 纹波电流（R.M.S.） RESR： 等效串联电阻（相应纹波频率) β： 热传递常数 A ： 外壳表面积 注意：ΔT超过最大限值会引起电容器过热而损坏 （对于105℃ 电容，ΔT一般为5 ℃） ΔT的近似值 较方便地获得ΔT的方法是利用测量电容器的表面温度来转换，对于每种外壳都有相应的系数ΔT ： ΔT=K c*(Ts-Tx) 式中： Kc： 表中所列系数 Ts： 电容器外壳的表面温度 Tx： 环境温度 ? Diameter (mm) φ5 toφ8 φ10 φ12.5 φ16 φ18 φ22 φ25 Kc 1.1 1.15 1.2 1.25 1.3 1.35 1.4 同样，也可以不通过测量而用下式估算ΔT： ΔT=ΔTo(Ix / Io)2 式中： ΔTo： =5 （对于105℃ 额定值） Io： 额定纹波电流（有效值）； 如果频率与 Ix不同应按规定比率转换。 Ix： 工作时实际流经电容器的纹波电流（有效值） BIPOLAR MOSFET BIPOLAR BVCES Collector-Emitter Voltage (VBE=0) BVCBO Collector-Base Voltage BVCEO Collector-Emitter Voltage (IB=0) BVEBO Emitter –Base Voltage IC Collector current -continuous ICM Collector current - peak ICES Collector cut-off current VCE(sat) Collector-Emitter saturation Voltage VBE(sat) Base-Emitter saturation Voltage hFE DC
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