溶胶凝胶法制备ITO薄膜及其光电性能的研究.pdfVIP

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33 1 Vol. 33 No. 1 2010 2 Ch inese JournalofE lectron Devices Feb. 2010 Electricaland OpticalProperties of ITO Fiml sPrepared by the Sol2GelM ethod YUAN H ongm ei, LIN Zulun , CHEN Wenbin, WEI Xinying (Sch ool of Op toelect on ic Info ma tion, Un ive sity of E lect on ic ScienceT echnology of Ch ina, Ch engdu 610054, Ch ina ) Abstract: The Indium2tin oxide( ITO) fiml swere prepared on glass substrate using sol2gel dip coatingmethod. The sheet resistance and transm ittance of the ITO fiml sweremeasured by UV2VIS spectrometer and four2probe appara2 tus. The XRD, SEM analysis techn iqueswere used to determ inate the structure and morphology of ITO fiml s. It is 4+ proved that Sn concentration and sintering temperature both have significant influence on the conductance of ITO fiml s, and the sheet resistance is the lowest when sin tering at 450 e with 15% Sn2doped concentration. Increas2 ing the annealing tmi e and fiml layers, the sheet resistance decreases and becom es a constant u ltmi ately with the extension of tmi e, and there is just a small variation in the average visible transm ittance. K ey words: ITO; sol2ge;l sheet resistance; transm ittance EEACC: 0520 - ITO 袁红梅, 林祖伦 , 陈文彬, 韦新颖 (, 610054) : - , ITO , XRDSEM , , Sn 15 % ()450 e ; , , , : ITO; ) ;; : T 304. 055 : A : 1005- 9490(2010) 01- 0005- 05 ITO, 1 In(NO ) # 4 H O() 3 3 2 2 (), SnCl# 5H O () , 4 2 , (), , , ITO [ 1- 3] ITO , [4]

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