《电磁场与电磁波（第4版）》勘误表1225.docVIP

《 2 28 倒2 3 29 1 4 48 14 利用散度定理，… 利用散度定理，… 5 49 1 6 49 3 52 倒12 2. 电位移矢量和电介质中的高斯定律 2. 电位移矢量和电介质中的高斯定理 52 倒9 将真空中的高斯定律推广倒电介质中，得 将真空中的高斯定理推广倒电介质中，得 53 1 这就是电介质中高斯定律的微分形式。 这就是电介质中高斯定理的微分形式。 53 8 这就是电介质中高斯定律的积分形式。 这就是电介质中高斯定理的积分形式。 54 倒11 解：由高斯定律的微分形式 解：由高斯定理的微分形式 7 55 11 8 61 4 9 61 8 10 65 4 11 66 12 66 倒9 13 69 倒4 14 72 倒7 15 80 8 ，在分界z 0处，有 ，在分界面z 0处，有 16 80 9 17 81 倒2 18 87 倒13 工频下的金属导体中， 频率时的金属导体中， 19 87 倒13 20 91 倒5 21 100 14 ； ； 22 109 8 23 113 12 24 113 25 121 8 26 124 3 例如，当N 1时， 例如，当N 1时，； 27 124 5 28 126 倒3 29 141 倒7 30 175 2 31 177 8 因此 因此 32 181 倒6 根据式（4.5.3）, 根据式（4.5.4）, 33 181 倒1 34 189 倒9 35 195 倒4 36 196 倒5 37 197 5 例5.1.1 频率为100Mz的均匀电磁波，例5.1.1 频率为100Mz的均匀波， 39 199 40 201 倒5 ，但方向却随时变化， ，但方向却随时间变化， 41 205 12 在4.4.4小节中已指出， 在4.5.4小节中已指出， 42 211 6 43 230 7 44 231 倒6 45 247 12 46 248 图 47 248 图 48 250 图 49 255 8 垂直入射到一无损耗介质表面， 垂直入射到一无损耗介质表面（）， 50 255 2 在cm处遇到理想导体，试求： 在cm处遇到理想导体，试求： 51 259 倒1 得到解析解就很困难，这时如果 得到解析解就很困难。如果 52 283 图 53 308 倒6 （1）当负载阻抗时， （1）当负载阻抗时， 54 309 图 55 319 5 56 345 7 57 349 1 58 350 6 59 350 8 f 100kHz时：，f 100kHz时：， 61 350 倒6 62 351 17 63 351 倒10 64 352 1 65 352 倒7 211 倒9 217 5 333 3 334 13 上的磁场可等效为一电流元，而电场可等效为一磁流元，且 上的磁场可等效为一电流密度，而电场可等效为一磁流密度，且 334 倒3 338 6 对于E面 ，取，此时 对于H面 ，取，此时 338 倒8 5 图7.3.2 圆柱形波导中模式分布图 2.61 a 3.41a Ⅲ Ⅱ Ⅰ TM02 TE12 TM21 TE21 TE01 TM11 TE21 TM01 TE11 图 6.4.1 垂直极化波对理想导体平面的斜入射 图 6.4.1 垂直极化波对理想导体平面的斜入射 图 3.3.1小圆环电流 图 3.3.1小圆环电流 4 3 2 1 图2.5.3 时变场中的矩形线圈 B b a z y x 图2.5.3 时变场中的矩形线圈 B b a z y x