电子束与电阻复合蒸发法制备 Zr-Cu 非晶薄膜及性能表征.pdfVIP

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2015-09-22 发布于湖北
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电子束与电阻复合蒸发法制备 Zr-Cu 非晶薄膜及性能表征.pdf

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电子束与电阻复合蒸发法制备 Zr-Cu 非晶薄膜及性能表征.pdf

: ( ) · · 材料导报研究篇年月下第卷第期 32 B 　　2015 6 29 6 电子束与电阻复合蒸发法制备Zr-Cu非晶薄膜及性能表征∗ , , 张倩胡青卓张博　　 ( , ) 合肥工业大学材料科学与工程学院合肥 230009 , 。摘要　　主要采用电子束蒸发与电阻蒸发复合镀膜系统制备 Zr-Cu二元非晶薄膜衬底基板无冷却装置通过 ( )、 ( )、 ( )、 X射线衍射仪 XRD 场发射透射电子显微镜 FE-TEM 场发射扫描电子显微镜 FE-SEM 微控四探针测量仪等 , 、、 , 仪器系统地研究了样品沉积时间对薄膜厚度微观结构表面形貌以及电学性能的影响另外还分析了与磁控溅射。 , 制备的Zr-Cu 非晶样品的区别结果显示该复合镀膜技术制备的 Zr Cu 非晶薄膜玻璃形成成分范围为x = x 100-x ; 。 30~85 薄膜的结构与性能对沉积时间比较敏感样品随沉积时间的延长从非晶结构逐渐向非晶纳米晶复合结构转 ; , “ ” ; 变相比磁控溅射制备的薄膜样品复合蒸发法制备的薄膜表面呈现较大尺寸的团簇形貌样品的电阻率和方块电阻随沉积时间的延长逐渐减小。关键词非晶薄膜复合蒸发沉积时间　　Zr-Cu 　　中图分类号: 文献标识码: : / TB43　　 A　　DOI 10.11896 .issn.1005-023X.2015.12.008j Pre aration and Characterization ofZr-Cu Amor hous Thin Film b E-beam p p y and Resistance Com osite Eva oration