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2015-09-20 发布于浙江
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AP9T19GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼▼ Low Gate Charge BV 12V ▼▼ D DSS ▼▼ Capable of 2.5V gate drive R 16mΩ ▼▼ DS(ON) ▼▼ Single Drive Requirement I 33A ▼▼ G D S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. G D S TO-251(J) Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage 12 V VGS Gate-Source Voltage ±12 V I @T =25℃ Continuous Drain