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2015-09-20 发布于浙江
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AP9585S/P Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼▼ Lower Gate Charge D BV -80V ▼▼ DSS ▼▼ Simple Drive Requirement R 180mΩ ▼▼ DS(ON) ▼▼ Fast Switching Characteristic I -11.2A ▼▼ D G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching, S TO-263(S) ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-263 package is universally preferred for all commercial- industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP9585P) are available for low-profile applications. GD TO-220(P) S Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage -80 V