第九章 异质结e.pptVIP

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第九章 异质结e

2、异质结能带图 3、异质结的应用 (1)提高少子的注入效率 (2)调制掺杂技术提高载流子的迁移率 (3)窗口效应 (4)异质结激光器 粒子数占据反转: 导带中存在有大量电子, 价带中存在有大量空穴。 4、考虑界面态时的能带图 5、半导体超晶格 由交替生长两种半导体材料薄层组成的一维周期性结构,其薄层厚度的周期小于电子的平均自由程的人造材料。 制备方法: 分子束外延(MBE)-单原子的生长 金属有机化合物汽相淀积(MOVCD) 分类: (1)成分超晶格 周期性改变薄层的成分而形成的超晶格。 (2)掺杂超晶格 周期性改变同一成分的各薄层中的掺杂类型而形成的超晶格。(NIPI晶体) 子能带 * * 1、分类 (1)导电类型 ①反型异质结 p-n Ge-GaAs或 (p)Ge-(n)GaAs ②同型异质结 n-n Ge-GaAs或 (n)Ge-(n)GaAs ③双异质结 (n)Ga1-xAlxAs-(p)GaAs -(n)Ga1-xAlxAs (2)过渡区 ①突变结:过渡区小于1μm ②缓变结:过渡区大于1μm (3)能带结构的不同 GaAs AlxGa1-xAs 跨立型 GaAs1-xSbx InxGa1-xAs 错开型 GaSb InAs 破隙型 半金属 电子空穴分离 正向偏压 电子注入效率 n型宽禁带半导体和p型窄禁带半导体构成的异质结 主要是注入p型半导体中的电子电流 注入n型半导体中的空穴电流可忽略 p型宽禁带半导体和n型窄禁带半导体构成的异质结 提高空穴注入效率 npn晶体管 n 调制掺杂 + 场效应管频率特性 Eg1 Eg2 hv Eg2hvEg1 光电池 a1 a2 b c b c z 使用时,直接删除本页! 精品课件,你值得拥有! 精品课件,你值得拥有! 使用时,直接删除本页! 精品课件,你值得拥有! 精品课件,你值得拥有! *

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