多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术.pdfVIP

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2015-09-06 发布于湖北
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多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术.pdf

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多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术.pdf

第23卷第2期压电与声光 vol23No．z ADr200l 文章缠号：1004—2474(2001)02—0142，03 多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术 KO 曾祥斌1，JohnnySin2，徐重阳1，饶瑞。，刘世建1 (1．华中科技大学电于科学与技术系．武覆430074；2．香谁科技大学电气与电于工程系．香港) 摘要：采用N：o和NH，等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理．实验结果表明，该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度，提高多晶硅薄膜晶体管性能．二次离子质谱仪分析表明在p-Si／SiOz 界面有氰原子富积。说明生成了强的si—N键．关键词：多晶硅薄膜；薄膜晶体管；表面钝化；氟等离于钝化中圈分娄号：TN304．055文献标识码：A SurfacePassivatj。n ThinFilmTransjst。rsNitridePlasma iF Poly—Si using O ZENG K Sin2，XU Rui‘．LIU Xiang-binl．JOHNNYZhong—yan91．RAOShi—jian ofSci．8LTech，wuhan (1．Dept．ofElectm口icSci．＆Tech．．HuazhongUniv 430074．Chinal 2．Dept．ofElectronic＆Electron Univof Engineering．TheHongKongSciTech．HongKong) surfacesof and transistorswere Abstract：The thinfilm oxideofthinfilm N20／ poly-Si gate passivatedusing film NHl Theinterfacestate of thinfilmmsreducedandthe Of thin plasma densitypoly—Si propertiespoly—Si transistorswere results amountsofnitrideatoms at this SIMS showedthat pile—up improvedusingtechnique large the thinfilminterfaceandformthe Si—Nbondwiththesilicon bond． SiO￡／poly·Si stronger dangling thin film words：poly-Sifilm；thintransistor；surface plasmapassivation Key