GB/T 6590-1998半导体器件　分立器件　第6部分：闸流晶体管　第二篇　100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范.pdf

ICS31.080.20 L 43 药旨 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 cB/T 6590一1998 idtIEC 747-6-2:1991 C750111 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的 双向三极闸流晶体管空白详细规范 Semiconductordevices- Discretedevices Part6cThyristors SectionTwo-Blankdetailspecificationfor bidirectionaltriodethyristors(triacs)， ambientorcase-rated，upto100A 1998门1一17发布 1999一06一01实施 国 家 )贡董 主支刁险监 督 局 发布 GB/T6590一 1998 前 言 本规范等同米用IEC747-6-2:1991K半导体器件 分立器件 100A以下环境或管壳额定的双向三 极闸流晶体管空白详细规范》。本规范是国家标准GB/T6590-1986的修订版。 本规范与GB/T6590-1986的主要差别是:在第4章中增加了电流与温度的降额曲线;删去了 C2c和C2d的分组号 ，该组的内容合并到C2b分组 ，并调整了引用总规范及分规范的标准号。 除非另有规定，本规范第8章中引用的条款号对应于GB/T4589.1-1989《半导体器件 分立器件 和集成电路总规范》IEC747-10:1984)的条款号，测试方法引自GB/T15291-1994《半导体分立器件 和集成电路 第6部分:闸流晶体管》(IEC747-6:1991);试验方法引自GB/T4937-1995《半导体器件 机械和气候试验方法》(IEC749:1984). 本规范由中华人民共和国电子工业部提出。 本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。 本规范由电子工业部标准化研究所负责起草。 本规范主要起草人:于志贤、杨志丹、顾康麟。 GB1T6590一1998 IEC前言 1)IEC(国际电工委员会)在技术间题上的正式决议或协议，是由对这些问题特别关切的国家委员 会参加的技术委员会制定的，对所涉及的间题尽可能地代表了国际上的一致意见。 2)这些决议或协议 ，以推荐标准的形式供国际上使用，并在此意义上为各国家委员会所认可。 3)为了促进国际间的统一，IEC希望各国家委员会在本国条件许可的情况下，采用IEC标准的文 本作为其国家标准，IEC标准与相应国家标准之间的差异，应尽可能在国家标准中指明。 本标准由IEC第47技术委员会(半导体器件)制定。 本标准是 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范。 本标准文本以下列文件为依据: 六个 月法 表决报告 47(C0)986 47(CO)1099 表决批准本标准的所有资料可在上表所列的表决报告中查阅。 本标准封面上的QC号是IEC电子元器件质量评定体系((IECQ)的规范号。 本标准中引用的其他 IEC标准: IEC68-2-17:1978基本环境试验程序，第2部分:试验，试验Q:密封 IEC191-