GB/T 6624-1995硅抛光片表面质量目测检验方法.pdf

中华人民共和国国家标准 GB/T6624一1995 硅抛光片表面质量 目测检验方法 代替GB6624-86 Standardmethodformeasuringthesurfacequality ofpolishedsiliconslicesbyvisualinspection ， 主肠内容与适用范围 本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验硅单晶单面抛光片(以下简称抛光片)表面质量的方 法。 本标准适用于硅抛光片表面质量检验。 2 引用标准 G$/T14264半导体材料术语 3 方法原理 硅抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可产生光的漫反射，且能目测观察，据此可目测检验其表 面缺陷。 月测检验的光照条件分成二类:直射汇聚光和大面积漫射光。目测检验的缺陷包括单晶的原生缺陷 和抛光片制备及包装过程中所引入的缺陷。 设备和器具 月 d l 叼 … . 高强度汇聚光源:钨丝灯。离光源100mm处汇聚光束斑直径20^40mm,照度不小子160001xa 月 弓 络 ‘ 大面积漫射光源:可调节光强度的荧光灯或乳白灯，使检测面上的光强度为430-650lx, 月 ﹃ 吁 J 净化台:大小能容纳检测设备，净化级别优于100级，离净化台正面边缘230mm处背景照度为50 一650仅。 4.4 真空吸笔:吸笔头可拆卸清洗，抛光片与其接触后不留下任何痕迹，不引入任何缺陷。 4.5照度计:应可测到10。一2200lx, 5 试样 按照规定的抽样方案或商定的抽样方案从清洗后的抛光片中抽取试样。 6 检测程序 6.1 检测条件 6.1门 在100级净化台内，用真空吸笔吸住抛光片背面，使抛光面向上，正对光源。光源、抛光片与检测 人员位置如图所示。光源离抛光片距离为50-1加mm,a角为450士100,夕角为900士1000 国家技术监任局1995一04一18批准 1995一12一01实施 GB/e6624一1995 吸耳者 吐片 用高强度汇聚光检侧硅片的正面的示愈图 6.1.2检侧光源分别为: 高强度汇聚光:照度)16000Ix. 大面积散射光:照度430^-650la. 6.2检侧步孩 6.2-1用真空吸笔吸住抛光片背面，使高强度汇聚光束斑直射摊光片表面(如图所示)。晃动拍澎片，改 变入射光角度.目侧检验整个抽光片正面的缺陷:沾污、雾、刘道涌位。 6.2.r将光孩换成大商独俄射光裸，自洲位验抢光片正面的块陷:iYl缘碎9.枯皮、鸦爪、裂纹、相、波 纹、浅坑、小丘、刀痕、条纹。 G2:3用真空吸笔v住抛光片背面，便背面向上，在大面积漫射光熊射下目侧检验她光片背面的缺陷: 边缘碎裂、沽污、裂纹、刀痕等。 .1-6.2.4条中的术语应符合GB/T142“的规定 ‘ 了检侧结.计算 7.1计算和记录观察到的顺拉数. 了2括计和记录沾污或缺陷面权占硅片总面积的百分数(精确到10%) 7.3记录划道根数及长度(精确到10%). 了.4计算和记录所观察到边缘碎奥.弧坑、波纹、小丘、浅坑数。 了.5记录抛光片裂纹1鸦爪和条纹数. 7.6估计和记录桔皮、未抛光部分的面积占抛光片总面积的百分致(梢确到l0/^0). 了.7记录榴的根数和累计长度 《以直径为单位，精确到10%). 7.8枯计和记录抛光片的刀痕、退刀痕长度(精确到1mm), 8 试脸报告 日-1检侧报告应包括以下内容; 二 硅抛光片批号; 七.硅抛光片生产单位; c.检侧条件， ‘检侧结果; 二 本标准号; GB/T6624一 1995 f . 检验者签章; g 检测 日期。 附加说明: 本标准由中国有色金属工业总公司提出。 本标