GB/T 6618-1995硅片厚度和总厚度变化测试方法.pdf

中华人 民共和 国国家标准 GB/T 6618一1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法 代替 GB6618-86 Testmethodforthicknessandtotalthickness variationofsiliconslices 1 主题内容与适用范围 本标准规定了硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立点式和扫描式 测量方法。 本标准主要用于符合国标GB12964,GB12965规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在 测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量 2 引用标准 GB12964 硅单晶抛光片 GB12965 硅单晶切割片和研磨片 3 方法提要 3门 分立点式测量 图1 分立点测量方式时的测量点位置 国家技术监督局1995一04一18批准 1995一12一01实施 ce/T 6618一 1995 在硅片巾心点和距硅片边缘6mm圆周上的4个对称位置点测量硅片厚度 其中两点位于与硅片 主参考面垂直平分线逆时针方向的夹角为300的直径L，另外两点位于与该直径相垂直的另 一直径上 (见图1)e硅片中心点厚度作为硅片的标称厚度 5个厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值称作 硅片的总厚度变化 3.2 扫描式测量 硅片由基准环 卜的3个半球状顶端支承，在硅片中心点进行厚度测量，测量值为硅片的标称厚度。 然后探头按规定图形扫描硅片表面，进行厚度测量，自动指示仪显示出总厚度变化。扫描路径图见图2. 才】描路径图样 图2 测量的扫描路径图 4 仪器设备 4.1接触式测厚仪 测厚仪由带指示仪表的探头及支持硅片的夹具或平台组成。 4.1.1测厚仪应能使硅片绕平台中心旋转，并使每次测量定位在规定位置的2mm范围内 4.1.2 仪表最小指示量值不大于1F+m, 4.1.3测量时探头与硅片接触面积不应超过2mm. 4.1.4 厚度校正标准样片，厚度值的范围从。.13-1.3mm，每两片间的间隔为。.13士。.025mm 4.2 非接触式测量仪 由一个可移动的基准环，带有指示器的固定探头装置，定位器和平板所组成，各部分如下: 4.2.1基准环:由一个封闭的基座和3个半球形支承柱所组成。基准环有数种(见图3),皆由金属制 造;其热膨胀系数在室温下不大于6X10-,/0C;环的厚度至少为19mm，研磨底面的平整度在。.25r- 之内。外径比被测硅片直径大 50mm。此外，还要有下列特征: GB/r 6618一1995 硅片参考面取向线 t}化物合企球 直千T8.18mm 相断咫11 尼龙定位梢 肖径 7mm3个相7hJZu