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11-1 常用场效应管及晶体管参数 常用场效应管及晶体管参数 场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时， 对应的漏极电流。 夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使 ID减小到一个微小的电流时所需的UGS 开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使 ID到达某一个数值时所需的UGS (2)交流参数 低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容 场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 (3)极限参数 漏、源击穿电压 当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压 结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生 击穿现象。 常用场效应管及晶体管参数（1） 晶体管型号 反压 Vbe0 电流 Icm 功率 Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 地址（ADD）：无锡市南长街 364 号 电话（Tel）：0510 网址（Http）：Http:// 传真（Fax）：0510 邮箱（E-mail）：tjhua@ 邮编（ZIP）：214023 11-2 常用场效应管及晶体管参数 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V
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