挥硅系统.doc

MET-Si 型亚沸腾微流控挥硅系统 系统概述 多晶硅生产控制和质量保证的重要指标之一就是生产过程中三氯氢硅纯度的控制和检测。目前6N以上三氯氢硅中痕量B、P及金属杂质的检测是一项世界难题，所面临的最大困难不是分析设备的精度问题，而是挥硅过程中硅残留和杂质挥发所带来的严重干扰和流失，导致光谱(或质谱)分析存在严重谱线干扰、检测回收率低，而且不稳定，甚至无规律可循。而国内多晶硅企业由于起步晚，专业知识和技术较为缺乏，面临困难很多，致使三氯氢硅的分析检测处于摸索阶段，无法准确进行工艺过程控制。 本系统正是基于此现状，经过近四年的攻关和大量实验，以及多晶硅企业的实际使用，经数次改进，解决了此问题。 MET-Si 型亚沸腾微流控挥硅系统 首次引入了全球最先进的高纯电子试剂提纯理论----亚沸腾蒸馏理论，并开创性的将这一理论与微流控制理论、减压蒸馏理论同时应用于一体之中，经科学设计和反复验证，制造成该种专门用于多晶硅样品预处理的专业设备。该系统使三氯氢硅的预处理在亚沸腾状态下完成，先进行选择性化学反应，使待测元素经分子(基团)重组，再在亚沸腾状态下蒸馏，确保样品高回收率和硅元素的完全去除，避免了硅的基体干扰，提高了分析可靠性和准确度。 由于它同时应用了亚沸腾、微流控制和减压蒸馏三大手段，又结合了高纯度材料，因此在实际应用中可以发挥其无可比拟的优势，做到安全、准确、快速的解决样品预处理这一大难题。 本挥硅系统采用密闭式实验柜体，整体装置完全采用非金属材料，结合腹膜技术制造，同时对实验气体源进行一系列净化措施，可以保证实验氛围的洁净度达到10级水平。 图1：挥硅系统流程结构示意图（请勿根据本图制造） 备注：公司对客户每一个特殊应用都会仔细评价，并依据客户特殊需求提供适合的设备。 ——主要作用： * 提高硅及其衍生物样品预处理的安全性、稳定性、平行性。 * 降低氯硅烷样品预处理过程中痕量杂质成分的损失。 * 极大的缩短样品预处理的时间。 ——主要特点： * 结构灵活，实验柜体可以依据实验需求和实验室现场而定。 * 实验气体源预处理单元与挥发单元相互独立，易于清理和更换。 * 流量调节装置可供实验人员检查、调节实验气体的流量和压力。 * 挥硅装置腔内温度全程监测，方便实验人员检查、调节实验温度。 * 实验腔体用透明有机材料制作，能清晰地观察到样品反应情况。 * 实验柜保护罩有视窗可供实验人员观察，避免接触渗出酸气。 * 抽风口可以抽取实验中微渗出的气体，保护实验人员、仪器安全； * 每一个操作步骤在盘面上都有清楚标示。 ——系统大致构成： * 基本结构：固定式实验柜。 * 柜内配置：完整的净化单元 流量压力调节装置 气体预热装置 温度调节装置 实验腔体 实验杯槽 加热及温度调节装置 真空调节装置 连接方式：腔体罩与入口和出口流路采用软管连接，方便操作。 ——耐氢氟酸PP实验柜： * 柜体采用15mm厚进口瓷白PP材料制作，具有极佳的耐HF性能； * 挥发器台面采用进口石墨凹型材料，耐氢氟酸腐蚀，台面边缘加厚； * 操作窗≥10mm厚腹膜有机材料，滑动自如，随处可停，方便操作； * 插座采用带有自动闭合功能防护盖的防尘、防溅、防爆安全插座； * 照明采用带防爆罩的日光灯，不与实验气体直接接触； * 风罩采用进口瓷白PP板成型锥形缩口集气风罩，确保集气角度及圆滑度，以获得良好的平均排气； ——挥硅实验装置主要技术参数和功能： * 实验温度范围：30℃~100℃ * 实验气体源：净化 * 气氛预加热：温度可调节 * 流量装置：可调节 * 入口流路温度/压力装置：有 * 出口流路温度装置：有 * 排放气体：可吸收（根据需要） * 电源：220VAC±10%，50/60Hz * 尺寸：根据实验室尺寸确定。 特别说明：本公司已经拥有其专利权 技术参数若有更改恕不另行通知 重庆密奥仪器有限公司 挥硅实验装置 1 02362925964