等离子体刻蚀工艺的物理基础.pdfVIP

* 戴忠玲 毛 明 王友年 (大连理工大学物理系 三束材料表面改性国家重点实验室 大连 116024) 介绍了等离子体刻 工艺背景以及有关等离子体刻 机理的研究进展, 综述了等离子体刻 机理的研究 方法, 着重阐述了电容耦合放电和电感耦合放电等离子体物理特性, 特别是双频电容耦合放电等离子体和等离子体 鞘层研究中的关键问题. 等离子体, 刻 , 电容耦合放电, 电感耦合放电, 双频, 鞘层 The physics of plasm a etching DA IZhong- ing MAO M ing WANG You-N ian (StateK ey Laboratory of M aterialsM odfi ication by Laser, Electron, and Ion Beams, Dep artment of Physics, Dalian University of Technolo y, D alian 116024, China) A bstract The background and progress in the development ofplasma etch ing processes are review ed. Studies of them echanism of capacitively- and inductively- coupled discharges are d iscussed, especially the key prob- lem s of dual frequency capacitively- coupled discharge and plasma sheaths. K eyw ords plasma, etching, capacitively-coupled d ischarge, inductively-coupled d ischarge, dual frequency, sheath 把这种待加工的硅晶片放置到具有化学活性的低温 1 引言 等离子体中(见图 1), 进行等离子体刻 . 这种具有 化学活性的等离子体通常是由氯气或碳氟气体放电 目前, 低温等离子体微细加工手段是材料微纳 产生的, 它不仅含有电子和离子, 还含有大量的活性 加工的关键技术, 因为它是微电子、光电子、微机械、 * * * * 自由基(如 Cl , Cl , F , CF 等). 这些活性基团沉 2 微光学等制备技术的基础. 特别是在超大规模集成 积到裸露的硅晶片上时, 与硅原子相互结合而形成 电路制造工艺中, 有近三分之一的工序是借助于等 挥发性的氯化硅或氟化硅分子, 从而对晶片进行各 离子体加工完成的, 如等离子体薄膜沉积、等离子体 向异性刻 . 另一方面, 为了控制轰击到晶片上离子 刻 及等离子体去胶等, 其中等离子体刻 成为最